到2026年，数据中心将消耗70%的内存芯片

存储芯片进入史上最疯狂时期。

近半年来，全球科技媒体对内存、固态硬盘（NAND Flash）等存储产品短缺的报道密集涌现，其态势之猛烈、影响之深远，远超常规行业周期波动，有媒体甚至用“切尔诺贝利4号反应堆爆炸式的连锁灾难”来形容这场供应链危机。这场短缺并非偶然，核心驱动力是人工智能（AI）产业的爆炸式增长——从大模型训练、推理到全球数据中心基建的疯狂扩张，正以前所未有的力度吞噬着存储产能。市场研究机构TrendForce的最新报告显示，2026年全球生产的内存中，高达70%将被数据中心消耗，彻底重塑了全球存储市场的供需格局。

此外，据Tom's Hardware报道，OpenAI的“星门”项目日前与三星和SK海力士签署了每月高达90万片DRAM晶圆的供应协议。仅这一数字，就接近全球DRAM产量的40%。云服务提供商也在以同样激进的方式锁定供应。报道指出，高密度NAND产品实际上已被提前数月预订一空。美光的高带宽内存产品在2026年前的产能几乎已全部售罄。合同期限从过去的一季度延长至数年，巨头们正在源头进行直接采购。

此前，这场存储危机的讨论多局限于科技行业内部，尚未进入全球公众与跨行业决策层的核心视野。但这一局面正在快速改变，这场由AI引发的内存短缺已突破科技领域边界，正向汽车、消费电子、家电等与普通大众生活紧密相关的多个行业蔓延，形成跨领域的连锁冲击效应。

如今几乎所有东西都需要内存，这已是显而易见的事实。但即使是电视、蓝牙音箱、机顶盒等常见的家用电器，甚至是冰箱等“智能”家电，价格也可能变得极其昂贵。这些产品的利润空间本来就非常微薄，而像内存这样关键组件的价格一旦成倍增长，就意味着制造商愿意或不愿意承担的成本，最终只能将这部分成本转嫁给消费者——前提是他们有足够的内存来生产这些设备。

尽管各行各业的零部件价格一直在波动，但这种波动通常是暂时的，足以维持价格稳定，但这次情况并非如此。黄仁勋认为，内存的价格可能会占到大多数电子产品价格的10%，甚至在智能手机等产品中占到30%。

IDC已更新其2026年预测，预计智能手机销量将下降5%，个人电脑销量将下降9%——这些预测可能在短短几个月内就会进一步变化。该公司还将当前形势称为供应商产能向人工智能数据中心的“永久性重新分配”。TrendForce的Avril Wu对此表示赞同，她“追踪内存行业近20年，这次的情况确实不同……这真的是有史以来最疯狂的时期。”

存储三巨头，扩产加速

三星电子近日已与韩国土地住宅公社（LH）签署土地购买协议，正式启动龙仁国家产业园项目。三星将投资360万亿韩元，在约728万平方米的园区内建设六座晶圆厂，计划2026年下半年开工，2031年完工。龙仁项目最初被冠以系统半导体集群的名号，但随着2026年AI市场的演进，该园区的战略定位发生了实质性的偏移。诸多行业人士表示，龙仁集群将成为三星电子实现垂直AI集成（Vertical AI Integration）的核心基地。

传统的半导体制造模式将存储器（Memory）和逻辑芯片（Logic）的生产在地理和工艺上严格分离。然而在AI时代，这种分离带来了不可忽视的数据传输延迟和能耗瓶颈。此前在HBM3E时代，底部的基础裸片仍然主要由存储厂商使用成熟工艺制造。但进入HBM4时代以及未来，为了处理庞大的I/O吞吐和集成更多的控制逻辑，基础裸片必须采用先进的逻辑工艺（如5nm或4nm）制造。

与此同时，三星此前因半导体周期下行而暂停的P5工厂建设也已全面重启，三星已启动为P5订购包括气体、化学供应系统在内的关键基础设施设备招标，目标是在2028年实现全面运营。通常情况下，设备订单会在框架搭建完成后才下达，但此次为了加快批量生产进度，三星据称将采取“快速通道”策略，即框架搭建、设备订购和安装工作同步进行。

SK海力士则选择与台积电结成深度联盟。鉴于HBM4的基础裸片需要采用先进逻辑工艺（如12nmFFC及N5/N3工艺）以集成更多控制逻辑，SK海力士并未像三星那样试图自己解决所有问题，而是选择将其存储技术与台积电的CoWoS封装工艺及逻辑制程进行深度耦合。SK海力士的产能扩张策略具有极强的针对性，几乎完全服务于HBM等高附加值产品。为了应对NVIDIA对HBM4的迫切需求，SK海力士将M15X的量产时间表从原计划的2026年6月提前至2026年2月。这座工厂被明确定义为HBM4等DRAM产品的生产基地，将专注于生产制造HBM4所需的1b纳米（第五代10纳米级）及未来的1c纳米DRAM颗粒。初始产能规划为每月1万片晶圆，但计划在2026年底前迅速扩展至多倍规模。

美光在2026财年展现出更具侵略性的扩张姿态，在业绩说明会上，美光计划将2026财年的资本支出增加至约200亿美元，高于此前估计的180亿美元。这一增量资金将集中用于两点：扩充HBM封装产能，以及加速1-gamma（1γ）工艺节点的全面铺开。

位于博伊西总部的ID2晶圆厂项目被确立为最高优先级。美光将原计划投入纽约的部分资源重新调配至此，目标是将ID2打造为全球唯一的“研发+量产”一体化超级中心。截至2026年1月，ID2主体建设已进入冲刺阶段，预计将于2026年内启动设备安装，并锁定在2027年实现有意义的DRAM产出。

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