中科院学者：中国半导体突围的关键，不是抄袭 ASML，而是创造属于自己的制造体系

在全球科技竞争日益激烈的今天，半导体产业已成为经济、科技与国家安全的战略核心。中国作为全球最大芯片消费国，芯片自立自强不仅是产业发展的迫切需求，更是国家战略的重大战略支点。然而，在如何突破半导体关键技术瓶颈问题上，一个真实而深刻的声音正在行业内部悄然形成：中科院等科研力量认为，中国半导体的突围，关键不在于“抄袭”或复制国外技术如荷兰 ASML 的光刻机，而在于构建属于自己的全链条制造体系。

提起中国半导体行业，不少外界观点过度聚焦于一件事：逆向工程、拆解光刻机、甚至“抄袭”国外先进设备。近年来，有媒体和互联网上屡次出现中国科研团队拆解外购光刻机、反向分析设备功能的说法，称这或许是中国突破“卡脖子”技术的捷径。

但事实远没有表面那么简单。

一方面，荷兰 ASML 在极紫外（EUV）和高端 DUV 光刻机领域长期保持绝对技术领先与产业垄断。从设备制造精密度、光学组件、控制软件到制造工艺体系，这些技术都经过数十年积累与全球供应链协同优化。即使逆向工程与拆解，也很难真正“复制”其核心技术。更重要的是，仅仅靠模仿构件结构，并不能真正掌握先进制造的能力。

另一方面，国外专家指出，即使中国团队获得了某些设备样机并分析其结构，这些机器的关键部件和高精度性能仍无法单靠“模仿”就能达标，更无法实现大规模量产与稳定良率。

因此，“抄袭 ASML”在技术层面既不现实，也无法形成可持续的竞争力。而且，这种讨论本身也对中国自主创新的路径产生误解——这不是技术成长的主线，而是旁支。

真正的突破，始于中国自主创新体系的建设。这不仅是技术研发的问题，更涉及产业链、人才培养、生态系统与战略布局等多层面协同推进。

1. 构建全链条的设备与材料创新体系

半导体制造体系并非只是某一台光刻机，而是一个由材料、设备、软件、制造工艺、测试系统等环境构成的完整生态。中国在材料、工艺装备方面已经逐步形成自己的力量。例如在清洗、刻蚀、离子注入等多个环节，中国企业在成熟工艺节点上快速取得进展，推动国产设备逐步进入全球供应链。

中科院以及国内科研机构也在光刻关键部件上开展创新。例如一些独立路径的光源技术、光学设计理念，试图突破传统依赖稀有气体激光光源的设计理念，寻找新的技术路径，这种原创性探索才是真正打造核心竞争力的方向。

2. 打造“闭环可控”的国产半导体生态

国际经验告诉我们，领先的芯片制造能力不只是拥有一两个核心设备，而是一个“闭环可控”的体系。荷兰的光刻机之所以领先，不仅因为它的核心技术积累，还因为背后由全球材料供应商、精密加工制造商、系统集成商与软件开发者共同组成了高效协作的创新生态。

中国目前在大部分半导体设备类别上已具备一定的产业基础，但在高端光刻、EDA 软件等核心环节仍存在明显短板。据市场研究显示，中国国内设备自给率在一些关键设备上仍非常低，尤其是近年来出口管制针对成熟 DUV 及 EUV 光刻设备的限制，使得自给能力面临巨大挑战。

科技创新讲究的是“认知领先、路线领先”。与其试图复制 ASML 现有的技术路径，不如在某些关键技术上开辟全新的解决方案。这并非空中楼阁——在一些基础科学与应用技术上，中国科研团队已经开始探索与传统不同的创新方向，尝试打通长期被国外垄断的核心环节。

这意味着，中国的半导体发展必须跳出“追赶式复制”的思维框架，进入面向未来的创新设计体系。例如通过在某些设备本质上采用新的光源、光学结构、机械设计等手段来规避现有专利封锁，同时形成全新的知识产权体系。

中国半导体产业发展的另一关键是战略上的全局布局和长期投入。仅靠市场自发力量，难以形成对重技术领域的突破。因此，中国实施了国家级战略投资（如“大基金”），并推动科研机构、企业共同在材料、设备、制造、设计等领域投入研发资源。这种系统性支持，是任何单一企业或短期投入无法替代的。

更重要的是，中国强调的是“从基础到应用、从设计到制造、从材料到设备”的全链条发展。这种体系化布局直接应对了国际出口管制和技术封锁，推动中国在某些细分设备和制造步骤中加速赶超。

中国半导体行业面临的挑战是全方位的，但这正是中国科技力量发展的机遇所在。抄袭别人的技术或许在短期内看似能提供某些“突破”，但只能是表面现象，不可能构成持续竞争力。

这是一场长期而艰巨的战略工程，没有捷径可走，但只要坚持原创与自身体系建设，中国必将在全球半导体舞台上赢得立足之地。而这条路，不是抄袭别人，而是踏踏实实“造自己的半导体之路”。

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