北京
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号CN121335528A，申请日期为2020年9月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体装置。一种半导体装置包括：第一半导体结构，其包括存储器阵列；与第一半导体结构间隔开的第二半导体结构，该第二半导体结构包括第一晶体管；在第一半导体结构和第二半导体结构之间的第一绝缘层；在第二半导体结构和第一绝缘层之间的第二绝缘层；电连接到存储器阵列的第一接合焊盘，该第一接合焊盘位于第一绝缘层中；以及电连接到第一晶体管的第二接合焊盘，该第二接合焊盘位于第二绝缘层中。第一接合焊盘和第二接合焊盘彼此接触。第一接合焊盘和第二接合焊盘的多个侧壁中的至少一个侧壁包括弯曲部分。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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