北京
国家知识产权局信息显示，中航富士达科技股份有限公司申请一项名为“HTCC陶瓷基板表面羟基化活化及金属化方法及应用”的专利，公开号CN121320929A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种HTCC陶瓷基板表面羟基化活化及金属化方法及应用，包括对HTCC陶瓷基板进行湿化学羟基化处理，在基板表面形成羟基化层；对羟基化层采用双硅烷梯度修饰处理，在羟基化层表面形成含双活性位点的硅烷修饰层；对硅烷修饰层上进行无钯活化处理，在硅烷修饰层表面形成纳米催化位点；对纳米催化位点，进行梯度化学镀处理，在基板表面形成金属化层。本发明通过双硅烷梯度修饰构建的界面结合层与梯度化学镀形成的多层金属结构，有效解决了传统工艺中镀层易脱落、剥离的问题；通过湿化学处理与无钯活化的工艺特性，具备出色的结构适配能力。
天眼查资料显示，中航富士达科技股份有限公司，成立于2002年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本18772.8万人民币。通过天眼查大数据分析，中航富士达科技股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目220次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息511条，此外企业还拥有行政许可35个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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