北京
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国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“阻挡层及其形成方法、半导体器件”的专利，公开号CN121335526A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供了一种阻挡层及其形成方法、半导体器件，属于半导体领域。该阻挡层形成方法包括提供一半导体结构。通入前驱体，并使用惰性气体作为载气，在设定温度范围下，在所述半导体结构的表面形成阻挡层。采用设定波长的紫外线照射所述阻挡层。本发明通过设置设定波长的紫外线照射阻挡层，紫外线照射的工艺窗口大，照射深度不受限制，能够彻底去除杂质。并且采用紫外线照射阻挡层，还能够避免对阻挡层造成物理损伤，减少阻挡层内部及表面缺陷，降低电阻率。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目933次，专利信息220条，此外企业还拥有行政许可12个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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