北京
国家知识产权局信息显示，北京知识产权运营管理有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121335128A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一掺杂层，所述第一掺杂层表面形成有鳍片结构，所述鳍片结构两侧的第一掺杂层表面还形成有底部间隔层；所述鳍片结构顶面的两侧形成有顶部间隔层，所述顶部间隔层的侧壁与所述鳍片结构的侧壁平齐，所述顶部间隔层的侧壁形成有第一介质层，所述顶部间隔层之间的鳍片结构顶面形成有第二掺杂层，所述第二掺杂层延伸至所述第一介质层表面；所述第一介质层和第二掺杂层表面形成有第二介质层；所述底部间隔层表面、鳍片结构侧壁和第一介质层底面形成有栅极结构。本申请可以提高VFET栅极的形成质量，提高VFET器件性能的可靠性。
天眼查资料显示，北京知识产权运营管理有限公司，成立于2014年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本15067万人民币。通过天眼查大数据分析，北京知识产权运营管理有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目31次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息124条，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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