北京
国家知识产权局信息显示，湖南越摩先进半导体有限公司申请一项名为“一种基于主芯片开槽的高集成度封装结构及方法”的专利，公开号CN121335603A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及芯片堆叠封装技术领域，特别涉及一种基于主芯片开槽的高集成度封装结构及方法，结构包括基板、第一芯片、第二芯片，所述第一芯片与所述基板通过引线键合或倒装焊连接，所述第一芯片的下表面开设有凹槽，所述凹槽与所述基板上表面组成的空腔的尺寸大于所述第二芯片的尺寸，所述第二芯片封装在所述空腔中，所述第二芯片与所述基板通过引线键合或倒装焊连接，所述凹槽的内壁设置有散热结构层和/或金属屏蔽层。本发明打破了传统主芯片上、下表面均为完整平面的结构形式，将主芯片较厚的空间进一步利用，相比于常规方案减小了封装面积或封装厚度，显著提高了集成度，以及避免了第一芯片的引线与其它芯片或元器件干涉冲突等。
天眼查资料显示，湖南越摩先进半导体有限公司，成立于2020年，位于株洲市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本51900万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南越摩先进半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目41次，财产线索方面有商标信息13条，专利信息108条，此外企业还拥有行政许可32个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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