前脚带着合作诚意访华洽谈,后脚就掀起疯狂涨价潮。韩国存储巨头的身影刚淡出中国,全球服务器存储芯片合约价就飙升 60%-70%,部分高端型号直接暂停供货。
1 月 16 日,国内多家 AI 企业采购负责人坦言,单季度芯片采购成本已增加超 3 亿元,这场突如其来的 “反杀”,让无数人追问,中国存储芯片何时才能摆脱被动,追上韩国实力?
这场涨价绝非临时起意,而是垄断格局下的精准算计。全球 HBM 芯片市场被三家企业牢牢掌控,SK 海力士独占 57% 份额,三星和美国美光分别占据 22% 和 21%,几乎包揽全部产能。
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2026 年开年,三星与 SK 海力士同步官宣涨价,服务器用 DRAM 报价较去年四季度暴涨,创下近十年单季最大涨幅,还拒绝签订长期供货协议,只接受按季度议价。
背后的底气源于 AI 产业的爆发式需求。单台 AI 服务器对存储芯片的消耗量,是普通服务器的 8 到 10 倍。
北美四大云厂 2026 年 AI 基建投资高达 6000 亿美元,直接吸干全球大半存储芯片产能。韩国企业顺势调整产线,将资源全面转向高利润的 HBM 和 DDR5 芯片,逐步缩减中低端产能,人为制造稀缺性,把定价权牢牢握在手中。
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全球科技巨头都被迫卷入抢货大战。韩国京畿道的商务酒店一房难求,苹果、亚马逊、戴尔、谷歌等企业的采购团队蹲点守候,只为抢到有限货源。
谷歌甚至因采购高管未能提前锁定 HBM 供应将其解职,足以见得这类芯片对 AI 布局的战略重要性。在这样的格局下,中国企业即便明知是溢价收割,为保障 AI 项目推进,也只能被动接受。
中国被卡住脖子,并非不够努力,而是 HBM 芯片的制造难度远超想象。它不仅是简单的存储芯片,更是材料学、热力学与精密制造的巅峰对决,核心难点在于三维堆叠工艺和先进封装技术。
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目前 SK 海力士已实现 12 层堆叠 HBM4 芯片大规模生产,测试良率突破 70%,数据传输带宽可达 2TB/s,而国内企业虽拿出样品实现从无到有,却在堆叠层数、散热控制和良率上存在明显差距。
更现实的制约在于三重枷锁。一是技术代差,韩企已开始规划 HBM4 量产,我们仍在攻坚 HBM3 的规模化生产。
二是产能短板,全球成熟产能长期被美日韩瓜分,他们的生产线早已摊平设备折旧,成本优势显著。三是外部限制,高端制造设备和特殊材料受管制,即便愿意溢价采购,也难以快速补齐产能缺口。
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但中国产业的韧性,从不体现在被动承受中。在设备领域,国产力量已悄然突破。精测电子控股子公司累计签订 4.33 亿元半导体量检测设备订单,产品成功切入 HBM 核心供应链。
盛美上海的专用设备,可攻克 HBM 制造中最难的 TSV 铜填充工艺,鑫巨半导体的电化学沉积设备,更是在精密加工技术上实现突破,为国产芯片量产提供支撑。
头部企业的进展同样亮眼。长鑫存储 IPO 获上交所受理,募资 295 亿元冲刺 HBM 量产,计划 2026 年实现 HBM3 全面量产,其 DDR5 速率突破 8000Mbps,19nm 工艺良率超 95%,目前 HBM3 样品已交付华为等客户适配测试。
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长江存储凭借独创的 Xtacking 4.0 技术,实现 294 层 3D NAND 量产,良率破 90%,成本比国际同类产品低 10%-15%,全球市占率达 10%,跻身行业前五。
全产业链协同与内需市场,是我们最坚实的底牌。上游材料端,江丰电子的高纯铜靶材、凯美特气的电子级特种气体,都已通过国产企业验证,打破海外垄断。
算法层面,飞桨、Deep Seek 等通过技术优化,降低了对顶级 HBM 芯片的依赖,为国产芯片争取迭代时间。更关键的是,中国拥有全球最大的 AI 应用市场,从互联网到新能源汽车,庞大的内需能快速反哺技术升级。
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数据见证着追赶的步伐。中国大陆已连续 10 个季度成为全球最大的半导体设备市场,占比高达 43%。2025 年以来,DDR5 内存颗粒现货价格上涨超 300%,但国内企业国产存储芯片采购占比同比提升 8 个百分点,涨价正加速客户向国产替代转移。
行业机构预测,2026 年国内 HBM 芯片产能有望突破 10 万片 / 月,2028 年全球市场份额将提升至 15%。
韩国企业的优势也存在脆弱性,其严重依赖美国 EDA 设计软件和日本高端材料,上游供应链一旦波动就会陷入被动。
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而中国正构建自主可控的产业生态,从设备到材料,从设计到封装,每一个环节都在补齐短板。这场博弈比拼的不是一时得失,而是产业链韧性与长期耐心。
短期来看,我们或许仍要承受涨价压力,但随着国产芯片量产落地、技术持续迭代,差距会逐步缩小。从液晶面板到新能源,中国产业多次在被卡脖子中实现突围。
相信用不了太久,当国产 HBM 芯片在性能和良率上实现突破,韩国企业的涨价霸权终将失效。中国存储芯片的崛起,从来都是一步一个脚印,这场追赶之战,我们稳扎稳打,未来可期。
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