北京
国家知识产权局信息显示，中晶新源（上海）半导体有限公司取得一项名为“一种半导体功率器件封装结构”的专利，授权公告号CN223810135U，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种半导体功率器件封装结构，包括引线框架、三个半桥支路、铜桥、引线和封装体；每个所述半桥支路包括串联的两个开关芯片；所述引线框架包括三个半桥中点端铜片、一个电源端铜片、多个源极引出铜片和多个栅极引出铜片；所述铜桥包括三个二点支撑铜桥和三个三点支撑铜桥；每个所述源极引出铜片包括成对设置的边缘引脚，所述成对设置的边缘引脚的底面外露于封装体且在焊盘面连通。本实用新型采用6in 1的合封形式提高了芯片的集成度，集成封装通过优化内部互连结构，减少寄生电感/电容，使功率器件开关速度提升，动态损耗降低30％以上，封装体积较传统方案缩小60％，适用于移动设备、车载电子等高密度场景。
天眼查资料显示，中晶新源（上海）半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，中晶新源（上海）半导体有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息31条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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