国家知识产权局信息显示,中晶新源(上海)半导体有限公司取得一项名为“一种半导体功率器件封装结构”的专利,授权公告号CN223810135U,申请日期为2025年4月。
专利摘要显示,本实用新型公开了一种半导体功率器件封装结构,包括引线框架、三个半桥支路、铜桥、引线和封装体;每个所述半桥支路包括串联的两个开关芯片;所述引线框架包括三个半桥中点端铜片、一个电源端铜片、多个源极引出铜片和多个栅极引出铜片;所述铜桥包括三个二点支撑铜桥和三个三点支撑铜桥;每个所述源极引出铜片包括成对设置的边缘引脚,所述成对设置的边缘引脚的底面外露于封装体且在焊盘面连通。本实用新型采用6in 1的合封形式提高了芯片的集成度,集成封装通过优化内部互连结构,减少寄生电感/电容,使功率器件开关速度提升,动态损耗降低30%以上,封装体积较传统方案缩小60%,适用于移动设备、车载电子等高密度场景。
天眼查资料显示,中晶新源(上海)半导体有限公司,成立于2017年,位于上海市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析,中晶新源(上海)半导体有限公司参与招投标项目2次,财产线索方面有商标信息9条,专利信息31条,此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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