北京
国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统”的专利，公开号CN121335104A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统，该半导体器件包括多个存储单元、第一保护层、第二保护层和第三保护层，存储单元包括依次堆叠的第一电极、选通层、第二电极、相变层和第三电极；第一保护层围绕所述选通层的侧壁；第二保护层围绕所述存储单元的侧壁，且所述第一保护层位于所述第二保护层和所述选通层之间；第三保护层围绕所述存储单元的侧壁，且所述第二保护层位于所述第三保护层和所述第一保护层之间，由于选通层的侧壁具有第一保护层、第二保护层和第三保护层，可以增加对选通侧壁的保护，提升选通层的稳定性。
天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目5次，专利信息189条。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
