北京
国家知识产权局信息显示，浙江晶睿电子科技有限公司申请一项名为“一种生产超薄支撑层SOI的方法”的专利，公开号CN121335515A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种生产超薄支撑层SOI的方法，涉及到半导体技术领域，其包括，包括以下步骤：S1：分别提供支撑层晶圆和顶硅晶圆，对支撑层晶圆的正面和顶硅晶圆的背面进行常规化学机械抛光，获得常规抛光片；S2：对支撑层晶圆的抛光面和顶硅晶圆的抛光面，进行表面活化后，将两者对齐贴合并施加压力，得到支撑层SOI；S3：对顶硅层的边缘进行减薄处理，去除部分顶硅层材料，得到减薄支撑层SOI，常规厚度抛光片工艺稳定，用于键合也有正常良率，而键合后的SOI片厚度为顶硅厚度与支撑层厚度之和，这在后续背面减薄和抛光中避免了超薄片加工，并且此工艺由于背面抛光的后置，额外使背面的质量高于传统方案，满足更多客户的要求。
天眼查资料显示，浙江晶睿电子科技有限公司，成立于2020年，位于丽水市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4243.9409万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江晶睿电子科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目30次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息36条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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