北京
分享至
国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“SOI晶圆顶硅层厚度的控制方法、系统、SOI晶圆及电子设备”的专利，公开号CN121335514A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种SOI晶圆顶硅层厚度的控制方法、系统、SOI晶圆及电子设备，该方法包括：步骤一：提供第一衬底作为底硅层，测量所述底硅层的厚度特征值T。
天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目485次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息817条，此外企业还拥有行政许可46个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
