北京
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国家知识产权局信息显示，山东华光光电子股份有限公司;长春理工大学申请一项名为“一种超晶格结构的单模660nm半导体激光器件及其制备方法”的专利，公开号CN121307641A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种超晶格结构的单模660nm半导体激光器件及其制备方法，属于光电子技术领域，采用多层外延结构，从下至上依次包括GaAs衬底与缓冲层、分段式下限制层与下波导层、多量子阱有源区、AlInP/GaP超晶格、上波导层与分段式上限制层、以及带隙过渡层与GaAs帽层。制备方法涵盖衬底处理、缓冲层生长、V族源切换、限制层与波导层外延、多量子阱与超晶格结构生长、以及帽层沉积等工艺。通过超晶格结构及限制层分段设计，提升了空穴注入效率与载流子限制能力，有效改善了器件的高温工作特性。实现了660nm波段下单模激光的稳定输出，并在60℃高温环境下可保持120mW的可靠功率输出，同时具备低损耗、高转换效率及优良的光电性能。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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