北京
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国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“改善12英寸单晶硅COP缺陷的方法”的专利，公开号CN121295322A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供改善12英寸单晶硅COP缺陷的方法，涉及大尺寸直拉单晶技术领域，在实际等径拉晶过程中，固定水平磁场位置，通过预定水平磁场强度及拉晶参数，拉制单晶硅棒，实现对熔体流动和温度梯度的精确控制，以形成稳定的双涡流熔体流动模式，抑制晶棒的不同生长阶段的温度波动，从而有效改善单晶硅的缺陷分布，实现了晶棒COP密度的显著降低和缺陷聚集范围的缩小，提高了整体晶棒的COP径向均匀性，提高晶体质量和生产良品率。
天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息362条，此外企业还拥有行政许可25个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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