北京
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国家知识产权局信息显示，太原理工大学建筑设计研究院有限公司;太原理工大学申请一项名为“一种CsCu2I3/多孔GaN异质结及其制备方法和应用”的专利，公开号CN121310693A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种CsCu2I3/多孔GaN异质结及其制备方法和应用，其制备方法包括：制备多孔GaN衬底；采用旋涂或真空蒸镀方式在所述多孔GaN衬底上沉积CsCu2I3薄膜，形成CsCu2I3/多孔GaN异质结；其中，所述CsCu2I3薄膜厚度为80nm‑200nm。本发明提供的CsCu2I3/多孔GaN异质结能提高载流子的分离与传输效率。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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