美光高管解读：为何投入巨大，内存短缺在2028年前难以改善？

美光高管表示，尽管进行了巨额投资，但内存短缺问题在2028年之前不会得到改善。

全球最大内存制造商之一美光科技移动与客户端业务部门营销副总裁Christopher Moore在采访中表明，当前的紧张局面并非厂商主动调整客户结构所致，而是 AI 数据中心需求爆发叠加内存制造复杂度持续上升，共同推动行业供给边界被迅速拉紧。

在这一背景下，即便行业资本开支维持高位，内存供给的实质性改善仍需要较长时间窗口，相关紧张局面或将延续至2028年前后。

AI 吞噬DRAM产能，数据中心TAM急剧扩张

当前 DRAM 需求的结构性变化，是理解短缺问题的关键。数据中心与AI相关需求占整个 DRAM 市场的比重，已从过去的30%–40% 快速抬升至50%甚至60%。在这一背景下，整个行业都面临“产能不够用”的现实，而非单一厂商的资源分配问题。

Moore表示，这并不是美光一家面临的挑战，而是包括所有主要内存厂商在内的行业性约束。在 AI 数据中心集中扩建的阶段，任何厂商都难以忽视这一需求变化。他称：

“这并非美光公司的问题，而是整个行业的问题。我们和我们的同行或竞争对手都在竭尽全力地服务这些细分市场，但供应却远远不够。这确实是一个令人遗憾的局面。”

针对市场对美光退出 Crucial 品牌后“退出消费市场”的质疑，美光强调，其在消费端的布局更多通过 OEM 方式完成。公司仍向包括 戴尔、华硕 等整机厂商直接提供 LPDDR、DDR 模块，并通过整机集成的方式进入终端市场。

在Moore看来，AI 需求的优先级上升，并不等同于消费者被边缘化，而是总可服务市场（TAM）扩大后，供给端短期内无法同步跟上的结果。

扩产不是“多买设备”，而是制造复杂度的系统约束

美光明确否认“简单扩产即可缓解短缺”的观点。当前 DRAM 生产的主要瓶颈，并非设备数量，而是产品规格碎片化带来的产线切换损耗。

随着手机和 PC 厂商对 8GB、12GB、16GB 等多种容量并行需求的增加，晶圆厂需要频繁切换不同设计（DID），这会直接拉低单位时间的有效产出。在 AI 需求爆发后，厂商反而需要减少规格种类、拉长单一产品的连续生产周期，以最大化位元输出。

Moore表示：

“你可以想象一下，如果一个晶圆厂里有很多不同的机器在生产一块芯片，然后你不得不停掉这些机器，让它在另一块芯片上运行，那么产量肯定会下降。当然，实际情况没那么简单，但这已经是我能想到的最好的解释了。我们现在正在做的，就是尽可能减少芯片的数量，尽可能减少不同的DID芯片的数量，从而最大限度地提高产量，明白吗？所以我们正在和客户一起努力。”

针对市场寄予厚望的晶圆厂扩建计划，Moore 泼了一盆冷水。他强调，大幅提高存储位元产出的核心在于增加洁净室空间，而这是一个极度耗时的过程。

以美光三年前破土动工的爱达荷州ID1工厂为例，虽已将投产时间从原计划的2027年底提前至2027年中，但这仅仅是硬件层面的“上线”。在AI客户对技术指标和良率要求近乎完美的背景下，新产线必须经过漫长的资质认证、工具调试和客户验收流程。

Moore 明确表示：“直到2028年，也就是我们完成所有资质认证、客户验收、工具到位、一切就绪之后，你才会真正看到有意义的成果。”

Moore进一步表示：

内存制造商正争先恐后地建设新的生产线，但工艺上的限制最终迫使他们将时间表提前几个季度，这意味着对于普通消费者而言，DRAM 短缺可能会持续相当长一段时间，或者至少要等到人工智能需求开始消退之后才会结束。