北京
国家知识产权局信息显示，内蒙古清橙半导体科技有限公司申请一项名为“一种具有应力释放结构的碳化硅单晶生长坩埚及生长方法”的专利，公开号CN121295336A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种具有应力释放结构的碳化硅单晶生长坩埚及生长方法。坩埚内部由下至上依次设置有：由外向内铺设的、粒径递减的第一与第二碳化硅粉料；覆盖于第一粉料表面的石墨盘；覆盖于第二粉料表面的多孔石墨板；支撑于石墨盘上方且紧贴坩埚内壁的石墨环；以及连接籽晶与石墨环的结晶环，该结晶环具有15~40°的倾斜内壁，并与石墨环围合形成一个晶体生长空腔，所有内部石墨件表面均涂有耐高温金属化合物涂层。本发明通过独特的粉料布局与部件组合，有效过滤碳颗粒、减轻坩埚侵蚀、阻止边缘多晶形成，并能释放晶体内应力，从而显著降低晶体碳包裹与位错密度，防止晶体开裂，提高晶体质量与产量。
天眼查资料显示，内蒙古清橙半导体科技有限公司，成立于2024年，位于呼和浩特市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，内蒙古清橙半导体科技有限公司专利信息1条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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