北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“OTP器件的形成方法”的专利，公开号CN121310535A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种OTP器件的形成方法，在形成第一介质层和第二介质层之后；形成底部抗反射层，底部抗反射层覆盖选择栅区域的第二介质层，并暴露出浮栅上的部分厚度的第二介质层；以底部抗反射层为掩膜，刻蚀暴露出的第二介质层，以去除浮栅上的部分厚度的第二介质层；如此，降低了浮栅上的第二介质层的顶表面与选择栅上的第二介质层的顶表面之间的高度差，在后续对剩余的第二介质层执行化学机械研磨工艺时，可以避免因浮栅上的第二介质层被过度研磨而导致的第一介质层暴露，从而避免出现OTP器件的数据保持能力失效的问题。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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