EES：增强界面耦合实现光稳定的宽禁带钙钛矿及其在全钙钛矿叠层电池中的应用

碘溴混合宽禁带钙钛矿易发生卤素偏析，尤其在太阳能电池的埋底界面处，该处在工作时光照、热和电场应力最为集中。然而，常用的咔唑类自组装单分子层（SAM）与钙钛矿晶格之间的化学作用有限，导致结构不稳定和电荷提取效率低。

本研究上海交通大学张瑶和陈汉等人引入了一种分子桥接剂——（4-氟苯基）硫脲（FPT），它能同时与SAM基底共轭并与钙钛矿表面配位，从而增强空穴收集异质界面的化学与电子耦合。通过该方法，获得了具有增强光电性能和晶格稳定性的光稳定1.76 eV钙钛矿吸收层，使单结钙钛矿太阳能电池实现了20.79%的光电转换效率（认证效率20.35%）。

当与1.25 eV Sn-Pb钙钛矿底电池集成时，制备的两端单片全钙钛矿叠层太阳能电池效率达到29.58%，且封装器件在960小时持续最大功率点运行后仍保持初始效率的90%。

研究亮点：

1. 创新界面工程策略：引入FPT分子桥接剂，同时增强SAM与钙钛矿界面的化学键合与电子耦合，有效抑制卤素偏析与晶格分解。

2. 显著提升光稳定性：FPT修饰后，宽禁带钙钛矿薄膜在光照下卤素偏析被显著抑制，氧化反应减弱，薄膜质量与稳定性大幅提升。

3. 高效器件性能：实现1.76 eV单结电池效率20.79%（认证20.35%），全钙钛矿叠层电池效率达29.58%，并具备优异的运行稳定性（MPP下960小时保持90%效率）。

Photostable wide-bandgap perovskites with enhanced interface coupling for all-perovskite tandems

C. Li, Y. Zhang, H. Zhao, J. Zhang, Z. Yu, X. Tang, Y. Wang and H. Chen, Energy Environ. Sci., 2026

DOI: 10.1039/D5EE06683B

https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2026/ee/d5ee06683b

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