北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“CMOS器件的形成方法”的专利，公开号CN121310638A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供了一种CMOS器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底分为相对设置的正面和背面；在衬底的正面形成栅氧化层，在衬底的背面形成第一氧化层；在栅氧化层的表面形成栅多晶硅，在第一氧化层的表面形成多晶硅层；在栅多晶硅的表面形成第一氧化层侧墙，在多晶硅层的表面形成第二氧化层；在第一氧化层侧墙的表面形成氮化层侧墙，在第二氧化层的表面形成氮化层；在氮化层的表面形成第三氧化层；在氮化层侧墙的表面依次形成第二氧化层侧墙和氮氧化硅层；将CMOS器件置于HF酸槽中，使用HF酸去除第二氧化层；将CMOS器件置于磷酸酸槽中，使用磷酸去除氮氧化硅层和氮化层，以露出衬底背面的第一氧化层。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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