北京
国家知识产权局信息显示，武汉昊诚锂电科技股份有限公司申请一项名为“一种改性NASICON型钠离子陶瓷电解质膜及其制备方法和应用”的专利，公开号CN121306814A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种改性NASICON型钠离子陶瓷电解质膜及其制备方法和应用。该制备方法包括以下步骤：将NZSP电解质、硼源、铋源、铜源、镧源和溶剂混合，得到混合浆料；将混合浆料涂覆在支撑基底上，形成陶瓷电解质生坯层；将层间结合增强型浆料涂覆在陶瓷电解质生坯层上，形成层间结合增强层，得到复合膜；对复合膜进行烧结处理，得到改性NASICON型钠离子陶瓷电解质膜。本发明借助四元协同掺杂体系，降低了后续烧结温度，提高了电解质膜的致密度、室温电导率和拉伸强度，将Zr、P等关键元素的挥发率控制在2wt%以下；利用层间结合增强层的设计，解决了层间结合和离子传导的问题，使层间剥离强度得到提升，界面阻抗显著降低。
天眼查资料显示，武汉昊诚锂电科技股份有限公司，成立于2004年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3690万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉昊诚锂电科技股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目29次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息171条，此外企业还拥有行政许可32个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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