北京
国家知识产权局信息显示，东莞记忆存储科技有限公司申请一项名为“一种PCB过孔同轴结构及其制备方法”的专利，公开号CN121310408A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种PCB过孔同轴结构及其制备方法，涉及电子制造技术领域。该PCB过孔同轴结构设置于PCB上，其包括：过孔、导电镀层和塞孔体。其中，过孔贯穿PCB设有至少一个。导电镀层覆盖于过孔的内壁，与PCB的至少一个参考平面电性连接，以作为信号的参考回流导体；塞孔体固定设置于过孔内，包括柱状内导体以及包裹柱状内导体的侧壁的绝缘介质层；柱状内导体用于传输信号，其两端从绝缘介质层中外露，以与PCB的信号传输组件电性连接。本发明的PCB过孔同轴结构重构过孔内部的电磁场分布，显著改善了传统过孔因回流路径不连续导致的阻抗失配、回波损耗大及串扰严重的问题，显著提升了高速信号的传输质量与完整性。
天眼查资料显示，东莞记忆存储科技有限公司，成立于2012年，位于东莞市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本19800万人民币。通过天眼查大数据分析，东莞记忆存储科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目40次，专利信息216条，此外企业还拥有行政许可78个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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