韦尔股份取得屏蔽栅晶体管相关专利，晶体管制造改进避免栅极源极短路风险

来源：新浪证券-红岸工作室

1月10日消息，国家知识产权局信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管及其制造方法”的专利，授权公告号CN113745117B，授权公告日为2026年1月9日。申请公布号为CN113745117A，申请号为CN202111024378.1，申请公布日期为2026年1月9日，申请日期为2021年9月2日，发明人乐双申、何增谊、张立波、董建新、吴兴敏，专利代理机构深圳睿臻知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师李磊，分类号H10D30/01、H10D30/66。

专利摘要显示，本申请实施例公开了一种具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管及其制造方法，该晶体管由于制作过程中选择性地对栅极沟槽对应的氧化层进行刻蚀后，在正表面上再次沉淀氧化物，因此，该晶体管栅极沟槽和源极沟槽之间的氧化层呈阶梯状，靠近源极沟槽的氧化层的厚度大于靠近栅极沟槽的氧化层的厚度，由于制造过程中通过光刻胶等临时保护材料对源极沟槽的遮蔽，使得源极沟槽内填充的氧化层中不再出现凹坑，避免了源极沟槽内的氧化层上的凹坑内进入栅极多晶硅，导致具备SGT结构的MOSFET存在栅极源极短路的风险。

天眼查数据显示，上海韦尔半导体股份有限公司成立日期2007年5月15日，法定代表人高文宝，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本121442.6982万人民币，实缴资本1195万人民币，注册地址为中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层。上海韦尔半导体股份有限公司共对外投资了45家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息58条，专利信息204条，拥有行政许可15个。

上海韦尔半导体股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种功率MOSFET宽SOA结构制备工艺及芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202511157153.12025-08-19CN121013371A2025-11-25曹培明、董建新2一种具有元胞温度检测功能的功率芯片制备工艺及版图发明专利公布CN202511112814.92025-08-09CN120957433A2025-11-14方镇东、诸舜杰、杨慧玲、薛华瑞3一种瞬态电压抑制保护器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510702590.02025-05-28CN120659394A2025-09-16李登辉、许成宗、刘凯哲4一种芯片并联封装方法及并联封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202510642104.02025-05-19CN120613271A2025-09-09方镇东、门淑芳5一种单向低容瞬态电压抑制保护器件发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510540948.42025-04-27CN120152387A2025-06-13李登辉、许成宗、刘凯哲6一种功率MOSFET版图及MOSFET发明专利实质审查的生效、公布CN202510420186.42025-04-03CN120264855A2025-07-04薛华瑞、董建新7一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510271360.32025-03-08CN120091616A2025-06-03薛华瑞、阮孟波8一种IGBT制备方法及IGBT器件发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510261571.92025-03-06CN120111910A2025-06-06张峰、董建新9一种安全工作区MOSFET器件的制备方法及器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510205431.X2025-02-24CN120129297A2025-06-10薛华瑞、董建新10一种共漏极双MOSFET器件实用新型授权CN202423222814.82024-12-25CN223772423U2026-01-06诸舜杰、董建新11共漏极双MOSFET器件的制备工艺及共漏极双MOSFET器件发明专利授权CN202411921564.92024-12-25CN119815857B2026-01-06诸舜杰、董建新12一种半导体封装结构实用新型授权CN202422815330.82024-11-18CN223513965U2025-11-04吴旸、俞江彬、周万建、姚力13一种芯片封装结构实用新型授权CN202422467982.72024-10-11CN223308991U2025-09-05陈泽洋、俞江彬、周万建14一种IGBT制备方法及IGBT器件发明专利公布CN202411155855.12024-08-22CN118841323A2024-10-25张峰、诸舜杰15输出电路发明专利公布CN202411126829.62024-08-16CN121012487A2025-11-25石田学16电压调节器发明专利公布CN202411126827.72024-08-16CN121028940A2025-11-28石田学17半导体集成电路发明专利公布CN202411126626.72024-08-16CN121055790A2025-12-02相浦正巳18一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图实用新型授权CN202421990059.52024-08-15CN223108363U2025-07-15薛华瑞、董建新19负载驱动电路发明专利公布CN202411091349.02024-08-09CN121012328A2025-11-25木村宏之20桥接电路发明专利公布CN202411091133.42024-08-09CN121012492A2025-11-25相浦正巳21一种带保险丝芯片封装结构实用新型授权CN202421896262.62024-08-06CN223092890U2025-07-11李登辉、陈泽洋、黄智、赵金龙22一种高保持电流瞬态电压抑制器件实用新型授权CN202421650230.82024-07-11CN223110415U2025-07-15李登辉、许成宗23一种SiC MOSFET器件的制备方法及SiC MOSFET器件发明专利公布CN202410803538.X2024-06-20CN121218661A2025-12-26付霄荧、衷世雄、钟添宾24一种MOSFET版图及MOSFET器件实用新型授权CN202421403433.72024-06-18CN222776520U2025-04-18党晓军、董建新、衷世雄、陈嘉聪25一种功率MOSFET制备方法及功率MOSFET发明专利公布CN202410787966.82024-06-18CN121174540A2025-12-19党晓军、董建新、衷世雄26一种阶梯开启屏蔽栅MOSFET的制备方法及阶梯开启屏蔽栅MOSFET发明专利实质审查的生效、公布CN202410717885.02024-06-04CN118610258A2024-09-06党晓军、董建新、衷世雄27一种功率器件的制备方法及功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410710543.62024-06-03CN118486596A2024-08-13党晓军、董建新、衷世雄28一种宽安全工作区分裂栅器件的制备方法及宽安全工作区分裂栅器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410691737.62024-05-30CN118658784A2024-09-17党晓军、包武29一种双向低容NPN特性瞬态电压抑制器件及封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202410691736.12024-05-30CN118658892A2024-09-17李登辉、许成宗、顾起帆、蔡燕楠30一种屏蔽栅功率器件的制备方法及屏蔽栅功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410674167.X2024-05-28CN118538610A2024-08-23党晓军、董建新、衷世雄31一种MOS芯片封装结构实用新型授权CN202421196596.22024-05-28CN222581167U2025-03-07陈泽洋、俞江彬、周万建32一种双向低容低钳位电压抑制保护器件实用新型授权CN202420456580.42024-03-08CN222532103U2025-02-25李登辉、许成宗、刘凯哲33张弛振荡器发明专利公布CN202410207729.X2024-02-26CN120357869A2025-07-22木村宏之34电流感测放大器发明专利公布CN202410207728.52024-02-26CN120357854A2025-07-22木村宏之35沟槽栅极型IGBT及其驱动方法发明专利公布CN202410065355.22024-01-17CN120166722A2025-06-17冈田哲也、仲敏行36一种芯片验证装置发明专利实质审查的生效、公布CN202311435838.92023-11-01CN117473916A2024-01-30陈晓鹏37一种SGTMOSFET版图及SGTMOSFET芯片实用新型授权CN202322817654.02023-10-19CN221596454U2024-08-23方镇东、董建新、诸舜杰、薛华瑞38一种SGTMOSFET版图及SGTMOSFET芯片实用新型授权CN202322817646.62023-10-19CN221596453U2024-08-23方镇东、诸舜杰、袁丹39电流感测放大器发明专利公布CN202311347242.32023-10-18CN119628574A2025-03-14木村宏之40一种耐压MOSFET版图及MOSFET芯片实用新型授权CN202322776049.32023-10-16CN221352769U2024-07-16布凡、董建新、阮孟波41一种MOSFET集成二极管监控芯片结温结构实用新型授权CN202322752277.72023-10-12CN221150008U2024-06-14董建新、薛华瑞42一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图实用新型授权CN202322746534.62023-10-12CN221150025U2024-06-14薛华瑞、阮孟波、董建新43一种新型中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图实用新型授权CN202322734495.82023-10-11CN221008959U2024-05-24薛华瑞、阮孟波、董建新44一种沟槽IGBT结构实用新型授权CN202322634523.92023-09-26CN221041137U2024-05-28张峰、布凡、董建新45一种新型沟槽IGBT结构实用新型授权CN202322628572.12023-09-26CN221150028U2024-06-14张峰、布凡、诸舜杰46一种具有高雪崩耐量的SGT芯片实用新型授权CN202322621748.02023-09-26CN221150026U2024-06-14布凡、董建新、薛华瑞47一种MOSFET实用新型授权CN202322531169.72023-09-16CN221008958U2024-05-24党晓军、董建新、衷世雄48一种MOSFET版图及MOSFET实用新型授权CN202322511370.92023-09-14CN221008957U2024-05-24薛华瑞、阮孟波、董建新49一种具有高电压快恢复二极管的制备工艺及快恢复二极管发明专利授权、公布CN202311190872.42023-09-14CN119653785B2025-11-04乐双申、陈兆萍50一种功率MOSFET双芯片封装结构实用新型授权CN202322493901.62023-09-13CN221008945U2024-05-24党晓军、董建新、衷世雄

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