北京
国家知识产权局信息显示，青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司申请一项名为“一种POI衬底、其制造工艺与声表面波滤波器”的专利，公开号CN121308712A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明属于半导体制造技术领域，提供了一种POI衬底、其制造工艺与声表面波滤波器，所述制造工艺包括提供具有第一键合面的压电材料膜层，从第一键合面进行离子注入，然后在第一键合面上依次进行涂胶、曝光、显影、刻蚀，在压电材料膜层的内部形成开孔；将带有开孔的压电材料膜层与目标衬底键合，再进行热处理，使注入面发生界面分离，在目标衬底上保留并形成压电层，得到POI衬底。通过结合光刻与刻蚀的手段，在压电材料膜层的键合面一侧开孔，并使得开孔深入到离子注入的注入面，以使开孔能为后续热处理的过程中产生的热应力提供释放窗口，从而有效改善转移的压电膜层的质量，提升均匀性和完整性，有助于提升良率、效率并降低成本。
天眼查资料显示，青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司，成立于2021年，位于晋城市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本300万人民币。通过天眼查大数据分析，青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司参与招投标项目3次，专利信息56条，此外企业还拥有行政许可6个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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