飙涨208%！芯片，重大利好！

业绩太炸裂！

今日（1月8日），全球芯片巨头三星电子最新披露的业绩显示，2025年第四季度的营业利润高达20万亿韩元（约合人民币965亿元），同比大幅飙涨208%，高于市场预期。分析指出，这一业绩主要受益于AI热潮下的存储芯片涨价潮。

另外，台积电也传来利好催化。据最新消息，台积电3nm制程持续供不应求，有业内人士透露，台积电今年除调高3nm报价外，已暂时停止3nm新案启动。摩根大通、野村证券均在最新发布的报告中，大幅上调了台积电的目标价。

四季度营利飙涨208%

1月8日，三星电子发布了2025年第四季度初步业绩，其中显示，公司2025年第四季度的营业利润高达20万亿韩元，较上年同期大幅增长208%，高于LSEG SmartEstimate预计的18万亿韩元。这将是三星有史以来最高的季度营业利润。

初步业绩报告显示，三星电子第四季度销售额同比增长23%，至93万亿韩元。这是三星单季销售额连续两个季度突破80万亿韩元，2025年第三季度的销售额为86万亿韩元。

有分析指出，三星电子炸裂的业绩背后是，供应紧张和AI驱动的需求激增推高了传统存储芯片的价格。

里昂证券韩国区研究主管Sanjeev Rana表示，2025年第四季度，DRAM芯片的平均售价环比上涨超30%，NAND闪存的平均售价环比上涨了约20%。

Counterpoint Research预测，2026年第一季度DDR5价格还将环比上涨40%，第二季度将进一步增长 20%。DDR5是当前电脑和服务器采用的最新一代传统DRAM。

另据最新消息，三星电子与其竞争对手SK海力士已向服务器、PC及智能手机用DRAM客户提出涨价，今年一季度报价将较去年第四季度大幅上涨60%—70%。

关于存储芯片价格持续上涨的原因，有机构分析称，一方面，芯片产业正转向AI相关芯片的生产，传统存储芯片产能因此受到挤压；另一方面，训练和运行AI模型对传统芯片与高端芯片的需求均在激增。

另外，在高带宽存储（HBM）领域，三星电子的进展也超出市场预期。三星首席执行官全永铉此前表示，公司客户对其下一代HBM芯片（即HBM4）的竞争优势给予高度评价。

Counterpoint Research首席研究分析师Choi Jung-gu表示，HBM4中采用的先进1c工艺节点和4nm逻辑工艺，在速度和散热方面都满足了客户的需求，并取得了良好的效果。

Sanjeev Rana预计，随着HBM4进入商用阶段，三星电子2026年的HBM出货量将增加两倍。

股价方面，三星电子今日股价一度大幅冲高，盘中最高涨超2%，再度创出历史新高，随后股价大幅回落，最终收跌1.56%。三星电子股价2025年全年的累计涨幅高达125%，创下二十六年来最大年度涨幅。

台积电的利好

与此同时，台积电也传来重磅催化。据台湾《工商时报》最新报道，台积电先进制程维持高产能利用率，其中3nm制程持续供不应求。芯片业内人士透露，台积电今年除调高3nm报价外，已暂时停止3nm新案启动。

业内人士分析，主因在于订单满载、现有产能已难以负荷，短期内扩产速度亦难以追上客户需求涌入。台积电正鼓励仍处于产品规划初期的客户，直接评估导入2nm制程，以利后续量产与成本配置。

另据摩根大通报告，台积电2nm工艺流片数量达到3nm 同期的1.5倍，并有望凭借2nm工艺拿下全球AI加速器市场超过95%的份额。

摩根大通指出，台积电为应对由 AI 浪潮引发的“芯片饥渴”，已制定激进的生产目标，计划至2026年底，2nm工艺的晶圆月产能将达到惊人的140000片。这意味着，高性能计算领域将继续高度依赖台积电的先进支撑。

摩根大通预测，2026年将是台积电又一个强劲的增长年，预计其营收将同比增长30%，而2027年也将维持20%以上的增速。这一增长背后的核心驱动力毫无疑问是AI数据中心需求。

摩根大通将2024—2029年数据中心AI收入的复合年增长率（CAGR）预测从53%上调至57%。预计到2029年，数据中心AI业务将占台积电总营收的40%以上（2024年这一比例仅为十几的中位数）。

为了应对从2026年延续到2028年的强劲需求，台积电正在开启新一轮的资本开支上行周期。

摩根大通预测，台积电2026年资本开支约为480亿美元，2027年将跃升至550亿美元，以支持N2、N3及美国工厂的扩产。

责编：王璐璐

排版：汪云鹏

校对：冉燕青

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