Pre-IPO轮估值超1500亿，合肥巨无霸IPO来了

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（来源：VCA创投社）

2019年9月，长鑫存储自主设计生产的8Gb DDR4产品在合肥工厂首次推出，中国大陆DRAM产业实现“从零到一”的突破。

六年后的2025年12月30日，这家公司的运营主体长鑫科技集团股份有限公司正式向上交所提交科创板上市申请并获受理。

长鑫科技的IPO进程堪称“高效推进”。2025年10月，公司完成IPO辅导验收，由中金公司、中信建投联合担任辅导机构，辅导团队规模达34人，足见项目分量。12月30日，上交所官网显示其科创板上市申请已获受理，且同步披露了两轮审核问询回复，成为2025年7月科创板改革新政后首家采用预先审阅机制申报的企业——该机制旨在保护科技型企业核心技术信息，避免过早披露对生产经营造成不利影响。

本次IPO，长鑫科技拟公开发行不超过106.22亿股人民币普通股，计划募集资金高达295亿元，投向三大核心方向：存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目，总投资规模达345亿元。这一募资规模位列科创板历史第二，仅次于中芯国际。

招股书披露，2025年1-9月公司营收达320.84亿元，同比增长97.79%，2022年至2024年主营业务收入复合增长率高达72.04%，三年累计营收超736亿元。值得关注的是，公司2025年有望实现扭亏为盈，标志着其从投入期逐步迈入盈利周期，这也为其IPO定价与估值提供了重要支撑。

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国产DRAM从0到1的突破

长鑫科技的故事开始于2016年，故事的核心人物是清华校友朱一明。

2005年，在海外半导体摸爬滚打多年的朱一明回国创业，这位清华校友一头扎进当时国内尚属空白的存储芯片领域，兆易创新应运而生。彼时海外巨头牢牢把控了全球存储芯片江湖，兆易创新凭借一己之力撕开了一道口子。

2016年，兆易创新在上交所IPO，当前市值（截止2026年1月7日）1753亿。

但朱一明并没有停下脚步。2016年，当时全球DRAM市场被三星、SK海力士、美光三大巨头垄断，国内市场自给率几乎为零，核心技术与产能完全依赖进口。彼时，已成功创办兆易创新（市值超千亿的半导体企业）的朱一明，试图开拓DRAM市场，在收购北京矽成失败后，毅然决定走上自主建厂的道路。

此时，合肥伸出了橄榄枝。那时的合肥已提出打造“IC之都”的战略目标，亟需核心半导体项目落地补全产业链。当得知兆易创新的需求后，合肥政府迅速伸出橄榄枝，采用“政府出资、企业出人出力”的协同模式，双方一拍即合。2016年6月，长鑫科技的前身睿力集成电路有限公司正式成立，注册地位于合肥经济技术开发区，开启了国产DRAM的攻坚之旅。

2017年3月，长鑫存储项目一期正式开工，规划总投资超过千亿元，仅一期就需要180亿元。

大胆的合肥市政府承担了其中的3/4资金，兆易创新投入剩余的1/4。当时的三星半导体仅2021年全年资本支出就达到300亿美元，长鑫存储的180亿元投入只是“万里长征”的第一步。

早期的技术突破尤为艰难。团队在没有厂房和设备的情况下就开始了研发工作，带着晶圆满世界飞，找到合作厂商做完一道工序，再马不停蹄赶往下一个地方。

为加速技术迭代并规避专利风险，长鑫科技从加拿大一家公司购买了德国奇梦达的专利，一举获得了遗留下来的1000万份技术文档和2.8TB数据。

作为专注于DRAM芯片设计、研发、生产和销售的一体化企业，长鑫科技的产品路径始终紧跟市场需求，实现了从技术追赶到局部并跑的跨越。公司成立之初，聚焦DDR、LPDDR两大主流DRAM系列，以“突破成熟制程、实现商业化落地”为核心目标，逐步完成了从基础研发到规模化量产的积累。

2019年，长鑫科技实现重大突破，量产首颗DRAM芯片，打破了海外巨头的垄断，填补了国内空白。此后，公司加速产品迭代，逐步完成了从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的全系列覆盖，产品性能不断提升，可广泛应用于移动终端、个人电脑、服务器、智能汽车、虚拟现实和物联网等多个领域。根据Omdia数据，按产能和出货量统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商，2025年出货量预计同比增长50%，全球市场份额将从第一季度的6%提升至第四季度的8%，在全球竞争格局中占据重要一席之地。

在高端产品领域，长鑫科技也积极布局。面对AI服务器带来的高带宽内存（HBM）需求激增，公司已启动相关技术研发，试图在高端赛道实现突破，进一步缩小与三星、SK海力士等国际巨头的差距。产品矩阵的不断完善，不仅提升了公司的市场竞争力，也为其营收增长提供了多元化支撑。

公司的研发投入毫不吝啬。2022年至2025年上半年累计研发投入188.67亿元，占累计营业收入的33.11%，研发费用率显著高于三星、美光、SK海力士等国际巨头。

不计成本地研发投入也为长鑫科技筑起了深深的护城河。目前长鑫科技拥有5589项境内外专利，其中包含3116项境内专利及2473项境外专利。根据世界知识产权组织数据，2023年其国际专利申请公开数量排名全球第22位。

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Pre-IPO轮估值1500亿

DRAM芯片属于重资产、高投入行业，研发与产能建设需要巨额资金支持。长鑫科技从早期的政府引导到后期的市场化资本争抢，公司的融资规模与估值不断攀升，最终在Pre-IPO轮达到1500亿估值，成为一级市场的“明星项目”。

公司成立初期，主要依靠合肥地方国资的资金支持，完成了初期的厂房建设与研发投入。这一阶段，合肥石溪集电、合肥长鑫集成电路等地方国资平台成为核心股东，为公司的起步奠定了资金基础。截至IPO前，合肥石溪集电持股26.85%，合肥长鑫集成电路持股13.72%，合计持股超40%，彰显了地方政府对项目的长期支持。

2020年11月，兆易创新率先对长鑫科技增资3亿元，持股比例约0.85%，形成产业协同效应。同年12月，公司完成大额增资，注册资本从189亿增至338亿，增幅78.83%，新增股东包括大基金二期、湖北小米长江产业基金、国寿投资、招商证券投资等知名机构。其中，大基金二期持股9.8%，成为重要战略投资方，彰显了国家对半导体存储产业的支持态度；小米等产业资本的入局，则为公司产品的下游应用拓展提供了便利。

随着2019年首颗芯片量产，长鑫科技的商业化前景逐渐清晰，成为一级市场的“香饽饽”。2021年9月，公司再次完成63.91亿元增资，注册资本增幅18.91%。这一轮融资堪称“盛况空前”，据业内人士透露，当时约有220家投资机构排队入场，经过三轮反向路演后，公司从中筛选10余家投资方纳入考察范围，竞争异常激烈。最终，兆易创新再次增资5亿元，碧桂园创投、美的资本等产业资本，国调基金、安徽省担保集团等国资平台，以及招商资本、基石资本、云锋基金等知名VC/PE机构成功入局。本轮融资后，公司估值超390亿元，正式跻身超级独角兽行列。

2022年初，长鑫科技低调完成新一轮融资，注册资本增至485.8亿元，新增阿里巴巴、腾讯两大互联网巨头，以及阳光保险、东方资管、中邮人寿等金融机构。其中，阿里巴巴持股1.39%，腾讯通过关联主体间接入股，互联网巨头的入局不仅带来了资金支持，更有望在云计算、物联网等下游场景与公司形成协同；金融资本的加入则进一步优化了公司的资本结构，提升了资金流动性。此外，华登国际、君和资本等专业VC/PE机构也持续跟进投资。

2024年3月，兆易创新发布公告，计划对长鑫科技增资15亿元，增资后持股比例约1.88%。本轮融资规模共计108亿元，除兆易创新外，投资方还包括合肥产投壹号股权投资合伙企业、建信金融资产投资有限公司等国资平台与金融机构。此次融资完成后，长鑫科技投后估值正式突破1500亿元，为其后续IPO奠定了估值基础。

从投资人视角来看，长鑫科技之所以能吸引众多顶级资本追捧，核心逻辑在于三点：一是赛道稀缺性，DRAM作为半导体存储的核心品类，国产替代空间巨大，长鑫科技是国内唯一实现规模化量产的企业，具备不可替代性；二是团队专业性，核心管理团队拥有丰富的半导体行业经验，技术研发与商业化能力得到验证；三是行业周期性机遇，2025年以来，全球DRAM市场迎来复苏，价格大幅上涨，公司盈利预期改善，进一步提升了投资价值。正如某参与投资的产业资本合伙人所言：“长鑫科技不仅是一家企业，更是中国DRAM产业国产化的核心载体，其发展关乎整个半导体产业链的安全，投资价值兼具产业意义与商业价值。”

目前，DRAM领域前三大巨头总市值之和超过8万亿元人民币。若按2024财年数据测算，美光科技市销率达13倍，市盈率达423倍。而在国内市场，晶圆制造龙头中芯国际的市销率为15倍，市盈率为200倍。

如果参照美光科技的估值体系，2025年，长鑫科技预期营收为550亿元，对应13倍市销率估值将达到7150亿元，预期净利润为20亿至35亿元，对应423倍市盈率则估值将达到8400亿元以上。

最终，A股市场将为其开出怎样的价码？

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DRAM行业的挑战与机遇

全球DRAM市场长期被三星、SK海力士、美光三家公司垄断，合计市占率长期超过90%。截至2025年第二季度，长鑫科技的全球市场份额约为4%，位列全球第四。

TrendForce集邦咨询数据显示，DRAM产业的资本支出在2025年预计将达到537亿美元，2026年预计增长至613亿美元，年增率达14%。

各供应商的投资重心正从单纯扩产转向制程技术升级和高附加值产品。

当前DRAM行业正面临两大结构性变化。一方面，AI、大数据、云计算需求暴涨推动对存储容量与带宽的需求；另一方面，国际巨头将先进产能大幅向HBM等高端领域倾斜，导致传统通用DRAM供给收紧。

这种结构性短缺推动存储价格大幅上扬，行业数据显示，部分DRAM产品合约价在一年内飙升数倍。对于产能爬坡期的长鑫科技而言，这既是外部利基，也是扩大份额、提升行业话语权的战略机遇期。

长鑫科技正积极布局面向AI算力需求的HBM技术，目标在2026年实现HBM3样品验证乃至小批量交付。2025年1月，国家专利局网站上一份新公开的HBM专利令业界瞩目，其持有人正是长鑫科技。

本次IPO募集资金295亿元将主要用于三大领域：130亿元投入存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目，75亿元用于DRAM存储器技术升级项目，90亿元专项用于动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。

市场普遍预期，长鑫科技上市后市值有望向3000亿元区间迈进，成为半导体板块的重要标杆。东方证券分析指出，国际巨头在通用存储领域扩产意愿保守，为后来者创造了难得的“时间窗口”。

根据Omdia数据，全球DRAM市场规模有望从2024年的976亿美元增长至2029年的2045亿美元，年均复合增长率为15.93%。

长鑫科技的核心任务之一，是提升对市场需求的供给保障能力。在巩固中国市场的同时，公司计划持续拓展全球销售网络。

合肥空港工业园15.2平方公里的土地上，长鑫存储的厂房距离合肥新桥国际机场仅一墙之隔。

2017年这里还是一片荒地，如今已成为中国乃至全球重要的半导体生产基地。IPO申请获得受理当天，市场热情被迅速点燃，至少有17家存储芯片概念企业股价涨超10%。

招股书扉页翻开，资本市场正屏息等待着这家千亿估值公司的故事如何续写。