北京
国家知识产权局信息显示，深圳晶源信息技术有限公司申请一项名为“半导体版图的长程刻蚀负载效应的建模方法、设备与介质”的专利，公开号CN121280619A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体版图的长程刻蚀负载效应的建模方法、设备与介质。其中半导体版图的长程刻蚀负载效应的建模方法包括：将像素化后的半导体版图进行区域划分；计算每个区域内的像素值密度以生成像素值密度图；获取半导体版图的刻蚀模型中预先建立的拟合项，并将像素值密度图作为变量输入到拟合项中；获取半导体版图的光刻胶轮廓和刻蚀图形轮廓，并输入刻蚀模型；利用拟合项进行训练，得到最佳刻蚀模型轮廓；在最佳刻蚀模型轮廓和刻蚀图形轮廓的差值处于预设误差范围时，判定最佳刻蚀模型轮廓对应的刻蚀模型满足可用性要求。本发明的方案，用像素值密度表征半导体版图的图形疏密程度，提升刻蚀模型的物理真实性和整体预测性。
天眼查资料显示，深圳晶源信息技术有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳晶源信息技术有限公司参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息168条，此外企业还拥有行政许可8个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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