存储芯片价格失控！华尔街再调预期：2026年DRAM或暴涨88%，NAND涨74%

花旗警告，2026年全球将面临存储芯片的“严重供应短缺”。

据追风交易台信息，花旗在其最新的展望中，展现了比野村证券更为激进的看涨姿态。分析师认为，受AI Agent（人工智能代理）普及和AI CPU内存需求激增的驱动，存储芯片价格将在2026年出现失控式上涨。分析师将2026年DRAM的平均售价（ASP）涨幅预期从原本的53%暴力上调至88%，NAND的涨幅预期从44%上调至74%。

定价权完全向卖方倾斜

花旗研究团队在最新报告中明确指出，预计2026年商品存储器市场将出现“严重的供应短缺”。这种短缺并非暂时性的供应链扰动，而是由结构性数据增长驱动的。花旗将2026年DRAM（动态随机存取存储器）的平均售价（ASP）同比增速预期从之前的+53%大幅上调至+88%。

更令人震惊的是服务器DRAM的数据。

花旗预计，受AI训练和推理需求的双重推动，2026年服务器DRAM的ASP将同比暴涨144%（此前预测为+91%）。以主流产品64GB DDR5 RDIMM为例，花旗预测其价格将在2026年第一季度达到620美元，环比增长38%，远高于此前预测的518美元。

在NAND（闪存）领域，花旗同样不手软，将2026年的ASP增长预期从+44%上调至+74%。其中，企业级SSD的ASP预计将同比增长87%。在分析师看来，市场将进入一个极其剧烈的卖方市场，定价权将完全掌握在三星等存储巨头手中。

基于上述激进的价格预测，花旗对三星电子（Samsung Electronics）的盈利前景进行了大幅修正。花旗预计，受惠于极其有利的定价环境，三星电子2026年的营业利润（OP）将飙升至155万亿韩元，同比激增253%。

这一数字远高于花旗此前预测的115万亿韩元。花旗认为，随着DRAM和NAND价格的飙升，三星的盈利能力将展现出极强的弹性。为此，花旗将三星电子的目标价从17万韩元直接上调至20万韩元。

野村的“超级周期”与花旗的“极端短缺”

此前野村在其报告中提出了“三重超级周期”（DRAM、NAND、HBM）的概念，预测2026年全球存储市场规模将增长98%至4450亿美元。

然而，在价格涨幅的具体判断上，两家机构出现了巨大的分歧。

野村预测2026年DRAM价格上涨46%，NAND价格上涨65%。虽然这已经是非常可观的涨幅，但花旗的DRAM涨幅预测（88%）几乎是野村的两倍。

分歧的核心在于对需求的理解深度不同。

野村强调的是AI服务器与通用服务器的“双重共振”以及HBM4的产能爬坡；而花旗则进一步强调了“AI代理”（AI Agents）带来的增量数据生成，认为这将导致数据量呈爆炸式增长，从而对通用服务器内存产生比预期更陡峭的价格拉升。

洁净室短缺成为长期瓶颈

为何价格会如此失控？除了需求的爆发，供应端的物理限制是另一大关键因素。

野村证券在报告中敏锐地指出，全球存储行业的供应扩张受到了“洁净室”（cleanroom）可用性不足的严重制约。

野村强调，即便厂商现在决定扩产，由于洁净室的短缺，2027年中期之前供应端的实质性扩张将非常有限。此外，技术迁移（如向1C纳米制程过渡）实际上会导致晶圆产能减少10%至15%，且初期良率较低。这意味着，面对花旗所预期的AI数据爆发，供给侧几乎没有快速响应的能力。这种供需错配正是花旗敢于给出DRAM价格翻倍式上涨预测的根本逻辑。