四川大决策投顾：AI需求爆发，存储芯片的高景气周期开启

四川大决策投顾 摘要：当前存储芯片行业核心投资逻辑在于 AI驱动供需共振。AI应用爆发推升存储需求，而国际大厂将产能转向HBM/DDR5等高利润产品，导致传统存储供给紧张、价格持续上涨。行业高景气度预计将延续。在此背景下，国内企业凭借技术突破与产能扩张，正抓住国产替代机遇，业绩弹性显著。

1.存储芯片行业概述

存储芯片是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件，其存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放。存储芯片下游划分：下游应用广泛，手机、PC 占比较高，构成传统主力。存储器产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网络通信设备、可穿戴设备、物联网硬件、安防监控、工业控制、汽车电子等多个应用领域，不同应用场景对存储器的参数要求复杂多样，涉及容量、读写速度、可擦除次数、协议、接口、功耗、尺寸、稳定性、兼容性等多项内容。其中，手机、PC 为存储器下游应用领域的传统主力，合计占比约 50%，而 AI、智能汽车加速渗透为行业注入新动能。

全球存储芯片产业呈现“美国-日本-韩国-中国”的区域转移脉络。美国作为存储技术发源地，英特尔等企业率先引领早期存储芯片的技术迭代与市场拓展；1970 年代日本凭借举国体制集中突破半导体核心技术，1986 年存储器全球市占率攀升至 65%，一度主导全球市场，后因日美贸易摩擦加剧，其存储芯片市场份额逐步下滑；韩国 Samsung、SK Hynix 等企业顺势崛起，1996 年 Samsung 推出全球首款 1GB DRAM，正式跻身行业领跑者行列。

当前，Micron、SK Hynix、铠侠等国际存储厂商凭借持续的技术迭代，仍占据全球市场龙头地位：Micron 聚焦 HBM3E、高端 NAND Flash 等高附加值产品，深度绑定 NVIDIA 等AI 巨头构建定制化供应链；铠侠以 BiCS FLASH™3D 闪存技术为核心竞争力，巩固细分领

域优势；SK Hynix2024 年实现营收 454.71 亿美元（同比+102.02%），积极加码高端赛道布局；中国企业中，长江存储、长鑫存储、江波龙等厂商加速技术突破与产能扩张，正推动全球存储芯片产业重心逐步向中国转移。

2.存储芯片行业具有明显的周期性，AI 驱动存储器行业景气向上

存储芯片是半导体行业中第二大细分市场，根据半导体权威机构 WSTS 的数据，2024 年全球半导体市场为 6305 亿美元，其中存储芯片市场为 1655 亿美元，占整个半导体市场的 26%，是仅次于逻辑芯片的第二大细分领域。存储芯片相比其他半导体品种周期性较强，一般以 3-4 年为一个周期。以2023-2024 年为例，2023 年存储芯片市场规模为 923 亿元，同比下滑 29%，2024年市场规模为 1655 亿元，同比增长 79%；相比之下 2023-2024 年半导体总体市场规模增速为-8%/20%。

我们认为，存储行业的强周期性主要有以下几个原因：

1） 技术端：产品标准化程度高。存储器的代际标准一般以 JEDEC 固态技术协会标准为主，核心指标包括电压、传输频率、存储容量等。以 JEDEC 最近发布的 LPDDR6 标准为例，LPDDR6 采用双子通道架构，可实现灵活的操作，同时保持 32 字节的小访问粒度，同时采用比 LPDDR5 更低电压、低功耗的 VDD2 电源供电。因此，各家存储厂商同代产品性能差距不会特别大，使得存储芯片具有一定大宗商品属性。

2） 存储行业为寡头市场，全球市场基本被 3-5 家大厂垄断。根据TrendForce, DRAM 市场被三星、海力士、美光三家垄断，25Q2 CR3 份额超过90%；Nand Flash 市场主要供应商有三星、海力士、凯侠、美光、闪迪，25Q2 CR5 份额超过 90%。大厂的扩产或减产对整体行业影响较大。

3） 存储的主要下游是手机、PC 等消费电子，这些行业本身就具有周期属性，例如 2020-2021 年手机，笔记本电脑等销量增长明显，而 2022-2023 年间销量有所下滑。

我们认为本轮存储行业的上行周期，和 2016-2019 年2020-2023 年有所不同，前两轮周期本质更多依托消费端发力，而本轮存储芯片的需求更多源自大型科技公司在AI时代的算力基建，持续性可能更强。后续应继续关注原厂价格策略、产能利用率情况、市场现货价格情况、HBM 芯片进展等。另外，值得注意的是本轮周期中，国产玩家或已进入行业的“核心圈”。例如长江存储第五代 3D TLC NAND 闪存的堆叠层数已达到 294 层，达到国际领先水平。随着技术实现突破，国内存储制造商正积极扩产，国产设备、材料等细分环节也有望充分受益。

3存储芯片进入新一轮涨价周期，三大存储巨头纷纷上调产品价格

2025 年 9 月 14 日，Micron 宣布上调存储产品价格 20%-30%，其中 DRAM 品类下的 DDR4、DDR5 及移动 DRAM（LPDDR4、LPDDR5）等产品同步暂停报价。紧接其后 9 月 22 日，Newdaily 报道 Samsung 宣布上调 LPDDR4X、LPDDR5/5X 等移动 DRAM 产品合约价 15%-30%，同时将 NAND Flash 合约价上调 5%-10%。之后10月23日，SK Hynix官宣2025Q4 DRAM与NAND Flash合约价最高上调30%。

DRAMechange 数据显示，截至 12 月 15 日，DRAM (DDR5 16 GB)、DRAM (DDR416 GB)、DRAM (DDR4 8 GB)、DRAM (DDR3 4 GB)、价格分别为 26.27 美元、50.75美元、14.38 美元、3.59 美元。

据 DRAMexchange 数据，截至 12 月 15 日，Flash（MLC 256 GB）、Flash（MLC128 GB）、Flash（SLC 16 GB）、Flash（SLC 8 GB）价格分别为 14.35 美元、10.63美元、11.50 美元、5.11 美元。

伴随 DRAM 与 NAND Flash 现货平均价全面持续上扬，全球存储芯片市场已正式开启新一轮成长周期。

4.海外存储原厂陆续发布涨价函，4Q25 DRAM/NAND 价格继续上行

9 月初，闪迪率先发布涨价函，面向渠道和消费者客户的新报价及订单涨价超 10%，反映人工智能应用以及数据中心、客户端和移动领域日益增长的存储需求；随后美光通知客户，包括 DDR4、DDR5、

LPDDR4、LPDDR5 等内存产品全部停止报价，且相关产品价格可能调涨 20%-30%；9 月下旬，三星电子亦宣布第四季度将涨价，其中，LPDDR4X、LPDDR5/5X 等 DRAM 产品预计上涨 15%-30%，eMMC/UFS 预计上涨 5%-10%。伴随各大原厂陆续发布涨价函，奠定4Q25 存储价格持续上涨趋势。据 TrendForce（9 月）最新预估，4Q25 DRAM 整体合约价格将环比增长 13%~18%，其中，DDR4/LPDDR4 虽面临原厂延长供应时间影响，但由于原厂及下游整体库存水位均较低且客户端 DDR5/LPDDR5 升级仍需一定时间周期，我们预计 4Q25 价格环比亦将继续上行。

5.存储芯片短线的催化剂

英伟达在CES上推出的“Context Memory架构”成为引爆存储芯片行情的核心催化剂。该架构将高速存储（如SSD）直接集成在GPU机架内，旨在解决大模型上下文长度激增导致的KV缓存瓶颈问题。这一技术方案的关键意义在于，它首次为AI时代的存储需求提供了一个明确的量化锚点——需求可与GPU机柜数量直接挂钩。

此举极大地提升了市场对NAND Flash等存储芯片在未来AI推理市场中需求增长的确定性，促使投资逻辑从传统的“周期性”向成长的“确定性”转变，估值体系也随之重塑。因此，尽管技术本身并非全新，但它消除了市场最大的疑虑，从而引发了存储股的集体暴涨。

6.存储芯片行业逻辑与产业链个股梳理

当前存储芯片行业核心投资逻辑在于 AI驱动供需共振。AI应用爆发推升存储需求，而国际大厂将产能转向HBM/DDR5等高利润产品，导致传统存储供给紧张、价格持续上涨。行业高景气度预计将延续。在此背景下，国内企业凭借技术突破与产能扩张，正抓住国产替代机遇，业绩弹性显著。

相关个股：江波龙、佰维存储、澜起科技、聚辰股份等。

风险提示：行业周期性波动风险；市场竞争加剧风险；技术迭代不及预期。

参考资料来源：

1.2025-12-22爱建证券—— 存储芯片涨价将延续至2026年

2.2025-12-20德邦证券——或跃在渊

3.2025-12-30东莞证券——AI 驱动存储扩容，设备环节确定性凸显

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