北京
国家知识产权局信息显示，浙江晶越半导体有限公司申请一项名为“一种复合碳化钽涂层及其制备方法和应用”的专利，公开号CN121270293A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及碳化硅生长领域，尤其涉及一种复合碳化钽涂层及其制备方法和应用，所述方法包括以下步骤：S1：将第一含钽氧化物浆料涂覆于石墨基底表面，形成第一预涂层；S2：对所述第一预涂层进行第一热处理，在所述石墨基底表面形成一复合过渡层；S3：将第二含钽氧化物浆料涂覆于所述复合过渡层表面，形成第二预涂层；S4：对所述第二预涂层进行第二热处理，烧结形成主碳化钽层。本申请通过引入光刻胶碳化与原位反应形成的复合过渡层，极大地增强了碳化钽涂层与石墨基底之间的界面结合力与热应力缓冲能力，使涂层的抗热震性能获得质的提升，有效防止了在高温热循环中的开裂与剥落。
天眼查资料显示，浙江晶越半导体有限公司，成立于2020年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20396.6571万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江晶越半导体有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息48条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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