北京
国家知识产权局信息显示，成都天一晶能半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅晶体生长熔体内热场温度梯度测量装置及方法”的专利，公开号CN121275171A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请提供了一种碳化硅晶体生长熔体内热场温度梯度测量装置及方法，涉及碳化硅晶体生长技术领域，该装置包括测温装置、杆体和筒体，筒体内部具有容纳腔，容纳腔朝向测温装置的一端具有敞口，杆体背离长晶炉的一端贯穿敞口与筒体相连接，容纳腔内设有多个旋片，多个旋片沿筒体的轴向相间隔设置，且多个旋片围绕筒体的周向依次布置，每个旋片均具有沿筒体轴向的第一表面及沿筒体径向的第一弧面，第一表面朝向测温装置，第一弧面与筒体的外周面共面。通过测温装置可依次测量每个旋片的第一表面温度，并结合相邻两个旋片的第一表面之间的距离，得到每相邻两个旋片之间的温度梯度，使得到熔体内温度梯度数据更加可靠和准确。
天眼查资料显示，成都天一晶能半导体有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本676.3937万人民币。通过天眼查大数据分析，成都天一晶能半导体有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息21条，此外企业还拥有行政许可1个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
