新年强势开局！AI需求叠加供给趋紧，存储芯片迎来集体反弹

受人工智能基础设施建设持续扩张的驱动，强劲需求与供应瓶颈共同推升了存储芯片价格，不仅带动全球半导体板块在新年伊始强势反弹，更引发市场对该行业结构性增长周期的强烈预期。

在2025年经历大幅上涨后，作为AI模型训练与运行关键组件的存储芯片，其供应短缺状况并未缓解。Counterpoint Research的数据显示，动态随机存取存储器（DRAM）的价格预计将在2026年第二季度前再上涨40%。这一趋势直接提振了行业巨头的股价表现，韩国SK 海力士和三星今年迄今分别上涨11.5%和15.9%，美光科技股价也攀升了9%。

此次反弹不仅限于存储芯片制造商，涨势已蔓延至更广泛的半导体供应链。市场普遍预期，随着科技巨头持续斥资数十亿美元采购芯片并建设AI数据中心，高带宽内存（HBM）等核心组件的供需失衡将赋予相关企业更强的定价权。投资者情绪乐观，预计在即将到来的财报季中，主要芯片厂商将交出利润大幅飙升的成绩单。

此外，这一积极势头也带动了代工及设备制造环节。英特尔、台积电以及光刻机巨头ASML的股价均在新年录得显著涨幅。分析机构指出，这并非短期的市场反弹，而是与AI基础设施长期建设挂钩的结构性转变，预示着以DRAM为代表的存储行业或将迎来超级周期。

AI驱动下的业绩爆发预期

Quilter Cheviot技术研究主管Ben Barringer在接受CNBC采访时指出，近期半导体板块的反弹主要由存储市场而非逻辑芯片驱动。他强调，这是源于AI工作负载带来的极强需求与高带宽内存（HBM）相对受限的供应共同作用的结果，而HBM正是训练和运行大型AI模型所必不可少的。

这种供需格局被视为三星、SK 海力士和美光科技的重大利好。鉴于需求未见放缓迹象，这三家巨头有望进一步提高其存储芯片的售价。市场对其即将发布的第四季度财报寄予厚望。据LSEG估算，三星第四季度营业利润预计将大幅跃升140%。与此同时，分析师预计美光科技在截至12月的季度中，每股收益将同比暴增超过400%。

反弹效应扩散至全产业链

存储芯片股的强劲表现已产生溢出效应，惠及整个半导体供应链。投资者押注2025年的强劲AI需求将在今年延续，推动了其他关键环节企业的股价上扬。全球最大的半导体制造商台积电今年以来股价上涨近10%，英特尔股价上涨近7%，两家公司均被视为AI持续繁荣的受益者。

荷兰光刻机巨头ASML的表现尤为亮眼，今年以来股价上涨近14%。ASML设计并制造生产全球最先进芯片所需的关键机器。Bernstein在周日的一份报告中，将ASML的目标价从800欧元上调至1300欧元，这意味着较周二交易价格有约24%的上涨空间。

结构性转变与“超级周期”

Bernstein分析师指出，ASML将从2026年和2027年计划的大规模产能扩张中受益匪浅，尤其是即将到来的“DRAM超级周期”。分析师预计，三星等存储芯片制造商将增加产能，这将直接利好ASML，因为制造更先进的存储芯片离不开其提供的工具。

Quilter Cheviot的Ben Barringer补充道，SK 海力士近期关于潜在HBM超级周期的言论进一步强化了市场观点：这不仅仅是短期的反弹，而是与正在进行的AI基础设施建设密切相关的结构性转变。这一趋势显著改善了整个行业的情绪，尤其是那些直接受益于AI驱动存储需求的公司。