北京
分享至
国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121284975A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，公开了半导体装置和制造方法。在实施方式中，半导体装置包括：磁性隧道结(MTJ)结构，其包括：具有固定磁化方向的钉扎层；与钉扎层相邻形成的隧道势垒层；以及与隧道势垒层相邻形成并具有可变磁化方向的自由层。自由层包括：与隧道势垒层相邻形成的第一磁性层；以及第二磁性层，其与第一磁性层相邻形成而与隧道势垒层间隔开、并且包括第二磁性层内的纳米孔。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
