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(来源:VCA创投社)
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AI算力需求正经历爆发式增长,传统计算架构的“内存墙”瓶颈日益凸显。在这一背景下,存算一体技术被视为下一代计算架构变革的关键方向。2026年1月5日,智能存算芯片研发商铭芯启睿宣布完成超亿元人民币Pre-A轮融资。
本轮融资由国开科创、联想创投领投,中芯聚源、顺禧基金、恒裕投资跟投,老股东中科创星、小米战投持续加码。这是铭芯启睿自2025年3月完成近亿元天使轮融资后,时隔不到一年再获资本加持。
在传统冯·诺依曼计算架构下,计算单元需要从内存中读取数据,处理后再写回内存。这种存储与计算分离的架构导致数据需要频繁在内存与处理器之间搬运,形成了所谓的 “内存墙”问题。
随着AI大模型应用需求激增,计算机需要进行大量的矩阵乘法、加法运算,参数量和计算量巨大。当前处理器计算能力快速发展,但数据传输和存储的速度明显跟不上,制约了整体计算效率的提升。
RRAM(阻变存储器)作为“存算一体”的重要技术路径,能够将存储和计算融为一体。RRAM不需要消耗大量能量来维持存储状态,整体功耗低,同时RRAM器件可调制到多个不同电阻状态,单个存储单元能存储多位数据,有望进一步提高存储密度。
这一技术特点使RRAM成为突破算力效能边界、引领下一代计算架构变革的关键方向。
铭芯启睿虽然成立于2024年5月27日,成立时间不长,但其背后是中国科学院刘明团队二十多年的技术积累。公司知识产权来源于该团队的200多项发明专利及芯片设计IP。
公司核心团队来自中国科学院集成电路相关核心研究所和行业界的多名资深半导体专家,具备芯片研发和产品全流程交付实力。该团队曾创下多项业界记录,包括全球第一颗14nm RRAM芯片、全球28nm单芯片最大容量128Mb RRAM、全球最高密度3D VRRAM等。
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值得一提的是,铭芯启睿是刘明团队孵化的唯一公司,科学院利用新型模式赋权铭芯启睿转化RRAM相关研究成果。这种产学研深度结合的模式,为公司的技术领先性提供了坚实基础。
截至2025年8月,公司已注册“铭芯启睿”文字商标2件、图形商标2件,另有“MEMSILICON”商标处于申请阶段,形成了较为完善的知识产权保护体系。
铭芯启睿的产品聚焦在三个主要方向:面向AI大模型场景的混合异构存算系统、嵌入式IP和独立式存储芯片产品。
在嵌入式IP方向,公司已与下游客户签订了相关IP的供应合同,总额达到数百万元。此外,铭芯启睿还与客户签订了独立式RRAM芯片的战略合作协议和长期供货协议。
经过一年多的快速发展,铭芯启睿在探索高密度存储商业化落地过程中成果显著。公司已与多家上下游企业建立合作,围绕存储工艺制造技术展开联合攻关,并深度绑定多家龙头企业客户,共同定义更符合市场需求的优质产品。
令人瞩目的是,铭芯启睿已顺利完成产品工程批验证流片,为后续规模化量产奠定了基础。同时,公司正加快存算技术产品的研发,为客户提供更高价值的人工智能存算方案。
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本轮Pre-A轮融资汇聚了国家产业资本、战略资本与头部市场化基金,体现了市场对新型存储与存算产业发展潜力的看好。
领投方国开科创是国家开发银行旗下的投资平台,其参与标志着国家级资本对RRAM这一技术方向的认可。国开科创认为“RRAM是具备突出技术潜能的新型存储介质,在解决先进制程嵌入式存储、存算一体方面想象空间广阔”。
另一领投方联想创投是联想集团旗下的全球科技产业基金,长期布局AI算力与下一代颠覆性计算架构。联想集团副总裁、联想创投管理合伙人王光熙表示:“铭芯启睿核心团队拥有深厚的技术积累,展现出极强的专注力与迭代韧性。”
跟投方中芯聚源与半导体制造龙头企业中芯国际有密切关系,其参与将为铭芯启睿后续芯片制造提供产业链支持。小米战投的持续加码,则体现了手机厂商对新一代存储技术的迫切需求。
老股东中科创星作为硬科技投资领域的知名机构,本轮继续加注。中科创星认为:“RRAM及存算一体技术,正是从材料与器件层面重构计算的深刻变革。”
根据规划,本轮融资将用于RRAM核心技术研究和人才团队扩充,助力推动RRAM技术产品规模化量产,加速存算技术的落地应用。
铭芯启睿联合创始人、董事长刘琦教授表示:“感谢各位新投资人的鼎力加入,以及老股东的持续加注与信任。未来,我们将持续深耕新型存储与存算技术赛道,聚力创新,以卓越的技术和产品回报信任、服务客户。”
在AI算力需求爆发式增长的背景下,铭芯启睿的发展步伐明显加快。公司成立于2024年5月,注册资本586.6667万元人民币,实缴资本111.6667万元。尽管成立时间不长,但公司已通过全资子公司上海芯辰睿海科技有限公司拓展业务布局。
通过本轮融资,铭芯启睿将进一步加强技术研发和产品商业化能力,为客户提供更高价值的人工智能存算方案。
在全球范围内,各大芯片厂商都在积极布局RRAM技术。台积电、三星、美光、SK海力士等行业巨头都在筹谋相关专利和产品,竞争日趋激烈。
RRAM作为新型存储技术,不仅具备低功耗、快速读写和高密度等优势,还可大幅提升AI计算效率,降低AI使用成本,也是先进节点嵌入式非易失存储技术的重要解决方案。
随着3D器件及3D堆叠技术进一步成熟,RRAM的非易失低功耗特性将更加凸显。这一技术趋势与AI算力需求爆发式增长相结合,正推动存算一体技术走向产业化前沿。
铭芯启睿凭借其深厚的技术积累和快速的工程化能力,有望在这一领域占据先机。公司的产品应用已覆盖消费电子、工业制造及数据中心三大场景,市场空间广阔。
在AI引领的新一轮科技革命中,计算架构的变革已成为关键赛道。铭芯启睿等中国硬科技企业的崛起,正在为全球计算技术的发展注入新的活力,也为中国在下一代计算架构领域构筑核心优势奠定了基础。
随着AI算力需求持续增长,计算架构革新已成为科技竞争的战略制高点。铭芯启睿凭借中科院二十多年的技术积淀和产业资本的强力支持,正在一条充满希望的赛道上加速前行。
全球芯片巨头纷纷布局RRAM技术的背景下,铭芯启睿的进展表明中国企业在下一代计算架构竞争中已占据一席之地。随着RRAM技术产品规模化量产的到来,存算一体技术有望真正走出实验室,赋能万千AI应用场景。
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