2026前瞻 | 强“芯”项目再落子　国产芯开启创新发展新周期

（记者　陈锦锋）上海市重大工程项目——数字光源芯片先进封测基地在中国（上海）自由贸易试验区临港新片区日前正式动工。这个由晶合光电与上海大学微电子学院联合攻关的项目，聚焦突破国际领先的Micro-LED光显一体车用光源芯片研发制造瓶颈。通过攻克CMOS数模驱动、异质集成、高精度键合等核心技术，该项目将构建从芯片到模组的一体化量产能力，成为国产芯片产业迈向自主创新新周期的标志性事件。在政策、资本与市场的三重驱动下，中国芯片产业正以“强芯”战略为引领，在突破技术封锁、完善产业链生态、培育创新动能等方面实现系统性突破，开启国产芯自主创新的新纪元。

（图片来源：摄图网）

中国芯初具规模，产业链生态初步成型

经过多年政策扶持与产业培育，国产芯片已形成覆盖设计、制造、封装测试及材料设备的完整产业链生态。在核心领域，华为麒麟9020芯片实现7纳米以下工艺突破，昇腾系列AI芯片算力性能达到国际先进水平；长鑫存储、长江存储在DRAM和NAND Flash领域实现规模化量产，打破海外巨头垄断；中芯国际市值突破万亿元大关，彰显中国晶圆制造硬实力。

区域协同效应方面，长三角、珠三角等产业集聚区形成特色鲜明的创新集群。上海张江、深圳南山、北京亦庄等地汇聚了从设计公司到制造工厂的全链条资源，培育出寒武纪、兆易创新、韦尔股份等一批行业龙头。资本市场上，国产GPU企业掀起上市热潮，景嘉微、芯原股份等企业通过融资扩大研发规模，形成“研发-量产-迭代”的良性循环。据相关数据显示，2025年中国芯片设计公司达到3901家；产业销售额预计将达到8357.3亿元人民币，同比增幅高达29.4%。

国产芯片仍面临多重瓶颈制约

尽管成绩斐然，但国产芯片发展仍面临“卡脖子”技术、外部环境与内部结构性矛盾三大挑战。在核心技术层面，7纳米及以下先进制程仍受制于光刻机、蚀刻机等关键设备进口限制，EDA工具、高端光刻胶等上游环节国产化率不足20%。美国持续升级的出口管制措施，进一步压缩高端芯片研发空间，部分企业被迫调整技术路线。

产业内部结构性矛盾同样突出。部分领域存在同质化竞争现象，如功率半导体、MCU芯片产能出现结构性过剩；中小企业面临融资难、研发投入不足等问题，2025年芯片设计企业平均研发投入强度仅为15%，低于国际头部企业25%的水平。知识产权布局薄弱制约全球市场拓展，国产芯片企业在海外专利诉讼中败诉率高达60%。全产业链协同创新能力有待提升，设计-制造-封装环节衔接效率较低，制约先进封装、存算一体等前沿技术规模化应用。

政策与市场双轮驱动，产业迈入自主创新新阶段

迈入2026年，国产芯片产业迎来自主创新新阶段。技术突破方面，5纳米及以下先进工艺、3D DRAM堆叠技术有望实现自主路线突破，先进封装与存算一体技术进入规模化应用阶段。中芯国际已实现5纳米FinFET工艺风险量产，长江存储的Xtacking 3.0技术将NAND闪存堆叠层数提升至232层，达到国际领先水平。

产业生态优化方面，头部企业通过并购整合提升集中度，构建自主可控的产业链体系。例如，闻泰科技收购安世半导体后，形成从芯片设计到功率模块封测的垂直整合能力。政策层面将持续强化关键核心技术攻关支持，通过“揭榜挂帅”机制引导资本向高确定性赛道集聚。企业加速“出海”拓展海外市场，中芯国际在德国建立12英寸晶圆厂，长江存储与西部数据成立合资公司开拓欧美市场，进口替代在高端芯片、设备材料等领域达成阶段性成果。

站在新的历史节点，国产芯片产业正以“强芯”战略为指引，在突破技术封锁中锻造硬核实力，在完善产业链生态中夯实发展根基，在培育创新动能中开辟新赛道。随着数字光源芯片先进封测基地等重大项目落地，中国芯将开启以自主创新为特征、以高质量发展为目标的新周期，为半导体产业格局重塑注入强劲动能。