北京
国家知识产权局信息显示，腾云创芯半导体材料（上海）有限公司申请一项名为“一种六方氮化硼绝缘体上碳化硅衬底结构的制备方法”的专利，公开号CN121262882A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明公开一种六方氮化硼绝缘体上碳化硅衬底结构的制备方法，属于半导体设计及制造技术领域，包括：第一晶圆为单晶碳化硅，第二晶圆为多晶碳化硅；对第一晶圆表面进行热氧化处理，对第二晶圆表面进行六方氮化硼薄膜沉积；对第一晶圆进行氢离子注入以形成弱化层，再进行锗离子、氮离子、硼离子中的一种或两种离子注入以形成阻挡层；对六方氮化硼层进行氢化表面处理；去除表面热氧化层，通过键合工艺将第一晶圆与第二晶圆相结合；剥离形成第二晶圆上的顶层碳化硅薄膜，使顶层碳化硅薄膜进行再结晶；通过湿法刻蚀将顶层碳化硅薄膜刻蚀至所需厚度。本发明中的六方氮化硼能够减少电荷散射并提升器件稳定性，并且本发明的顶层碳化硅薄膜厚度可控。
天眼查资料显示，腾云创芯半导体材料（上海）有限公司，成立于2025年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，腾云创芯半导体材料（上海）有限公司专利信息14条。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
