北京
国家知识产权局信息显示，江苏东海半导体股份有限公司申请一项名为“一种具有部分HK耐压层的逆导型SiC槽栅MOSFET及其制备方法”的专利，公开号CN121262858A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明涉及功率半导体技术领域，具体为一种具有部分HK耐压层的逆导型SiC槽栅MOSFET及其制备方法，解决深P型电场屏蔽区形成JFET区增大比导通电阻、集成反并联肖特基二极管占用元胞面积的问题。本发明通过一个元胞内四个角上分别设置了深入SiC体内较重掺杂的N型电流增强层的高介电常数的介质材料，可以终止N型电流增强层耗尽时产生的电力线，从而降低器件表面纵向电场，进而设计上可以进一步提高N型电流增强层的掺杂，显著降低器件的比导通电阻。将一个肖特基二极管设置于元胞两侧的高介电常数介质之间，不占用沟道面积的情况下，集成了低导通压降的肖特基二极管，降低反向导通和反向恢复损耗。
天眼查资料显示，江苏东海半导体股份有限公司，成立于2004年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8150万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏东海半导体股份有限公司参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息232条，此外企业还拥有行政许可28个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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