重塑高压电源的未来，看那些厂商推出千伏耐压氮化镓

前言

充电头网继续基于GaNFET.com统计数据分析，发现能华、量芯微以及PI已经推出多款千伏应用氮化镓，进一步延展氮化镓的高压段应用。

对于千伏耐压氮化镓而言，是把GaN原本在消费级应用的高频、低损耗、小封装、高功率密度的优势，往高压段延伸，用来和超结MOS、IGBT、SiC竞争。它在高压下仍具备极低开关损耗、无体二极管反向恢复、高频工作能力，能显著提升系统效率、减小磁性与滤波器件体积，让 3kW～几十 kW 级电源在相同体积下做到更大功率或在同功率下降得更小、更轻，同时也更利于实现高压母线直挂、减少级联级数。

千伏耐压氮化镓

充电头网基于GaNFET.com统计数据筛选出六款千伏耐压氮化镓器件，耐压覆盖1200~1700V，封装类型提供TO、DFN以及InSOP-T28G。有关器件的详细信息我们将在下文为您详细介绍。

CorEnergy能华

能华CE12H080TOCI

能华CE12H080TOCI一款1200V氮化镓功率器件，该器件的导阻为80mΩ，栅极电荷为10.7nC，采用TO247封装，能够通过高开关速度和低导通损耗提高效率，该器件还具有易于驱动、兼容硅MOS栅极驱动器的特点，并能通过更高的功率密度减少系统体积和重量。

应用方面，CE12H080TOCI 广泛应用于新能源、工业和汽车领域，该器件还为需要紧凑和高效形态的系统提供支持，同时符合RoHS环保标准。

能华CE12H180TOAI

能华CE12H180TOAI一款1200V氮化镓功率器件，该器件的导阻为180mΩ，栅极电荷为10.7nC，采用TO220封装，能够通过高开关速度和低导通损耗提高效率，该器件还具有易于驱动、兼容硅MOS栅极驱动器的特点，并能通过更高的功率密度减少系统体积和重量。

应用方面，CE12H080TOAI广泛应用于新能源、工业和汽车领域，该器件还为需要紧凑和高效形态的系统提供支持，同时符合RoHS环保标准。

GaNPower量芯微

GaNPower量芯微GPIHV30DFN

GPIHV30DFN是一颗1200V耐压的增强型氮化镓器件，采用DFN8x8封装，导阻仅65mΩ，具有优异的开关性能，适用于高频和高效的应用。

该器件适用于开关电源、电动汽车OBC和DC-DC转换器、服务器和电信电源应用、UPS、逆变器及光伏系统等，非常适合需要高效能和紧凑设计的产品。

GaNPower量芯微GPIHV30SB5L

GPIHV30SB5L是一颗1200V耐压的增强型氮化镓器件，采用TO263-5L封装，导阻仅65mΩ，具有优异的开关性能，适用于高频和高效的应用。

该器件适用于开关电源、电动汽车OBC和DC-DC转换器、服务器和电信电源应用、UPS、逆变器及光伏系统等，非常适合需要高效能和紧凑设计的产品。

GaNPower量芯微GPIXU30SB5L

GPIXU30SB5L是一颗1200V耐压的增强型氮化镓器件，采用TO263-5L封装，导阻仅70mΩ，具有优异的开关性能，适用于高频和高效的应用。

该器件适用于开关电源、电动汽车OBC和DC-DC转换器、服务器和电信电源应用、UPS、逆变器及光伏系统等，非常适合需要高效能和紧凑设计的产品。

PI帕沃英蒂格盛

PI IMX2353F

IMX2353F属于InnoMux2-EP系列芯片，耐压1700V，采用InSOP-T28G封装，支持先进的零电压开关拓扑结构，专为高效能应用设计，并支持外部功率因数校正，提高整体系统效率，降低损耗与谐波。此外，集成的EcoSmart技术可在轻载或待机状态下优化能耗，进一步提升能源效率。该芯片还具备过压保护功能，有效防止电压尖峰损坏电路，减少对外部元件的依赖，应用范围广泛，尤其适用于高压保护需求的场景。另外，该器件可在200~1000V直流场景下运行，适配800VDC平台应用。

InnoMux2-EP系列符合国际安全与环保标准，获得RoHS认证，确保不含有害物质，符合环保要求。同时，产品已通过CE认证，符合欧洲及全球市场的电磁兼容性和安全标准。芯片适合高功率转换系统，满足各种市场需求。

充电头网总结

千伏耐压氮化镓器件逐渐成为高压应用领域的重要竞争者，尤其在新能源、工业及汽车等领域展现出广泛应用前景。基于低开关损耗、高效率以及体积小巧的优势，氮化镓器件在于MOS、IGBT和SiC等传统高压器件的竞争中，逐步实现差异化竞争。未来，随着更多高压氮化镓产品的推出，预计将进一步推动高功率密度系统的小型化和高效化，满足AI服务器电源、新能源汽车、储能等对效率有极致需求的场景需求。