北京
国家知识产权局信息显示，存踵科技（上海）有限公司申请一项名为“嵌入式闪存结构及其制作方法”的专利，公开号CN121262828A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种嵌入式闪存结构及其制作方法，栅极堆叠层包括依次堆叠的遂穿氧化层、浮栅层、栅介质层以及控制栅层，浮栅层包含多个相互电隔离的纳米存储点。在编程时可将电荷存储在相互电隔离的多个纳米存储点中，当任一纳米存储点发生击穿时，由于各纳米存储点之间是电隔离的，其余未损坏的纳米存储点仍然能够正常存储电荷，使得浮栅层能够维持正常存储功能，进而提高存储器的整体稳定性，增加存储器的寿命。本发明一共有六种嵌入式闪存单元结构，特别是通过将遂穿氧化层和浮栅层设置为凸出于栅介质层以及控制栅层的两侧，从而大大提高嵌入式闪存的编程速度提高嵌入式闪存的编程速度。
天眼查资料显示，存踵科技（上海）有限公司，成立于2025年，位于上海市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本600万人民币。通过天眼查大数据分析，存踵科技（上海）有限公司共对外投资了1家企业，专利信息2条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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