北京
国家知识产权局信息显示，欣旺达电子股份有限公司申请一项名为“一种氢渗透性能的预测方法、装置、系统及存储介质”的专利，公开号CN121260275A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请公开了一种氢渗透性能的预测方法、装置、系统及存储介质，涉及分子模拟技术领域。该方法包括：构建共混分子模型；对共混分子模型进行平衡处理并进行不同压力条件下的分子动力学模拟获得稳定体系构型；通过分子动力学模拟计算氢气分子的均方位移以确定扩散系数；通过模拟计算体系构型对氢气的等温吸附曲线以确定溶解度系数；计算得到改性聚酰胺的氢渗透系数。所述预测方法通过计算机模拟，克服了宏观实验周期长、成本高及误差大的缺点，能从分子层面揭示高压下的渗透机理，为高阻隔材料的理性设计提供了快速、可靠的理论指导。
天眼查资料显示，欣旺达电子股份有限公司，成立于1997年，位于深圳市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本184580.6346万人民币。通过天眼查大数据分析，欣旺达电子股份有限公司共对外投资了32家企业，参与招投标项目94次，财产线索方面有商标信息144条，专利信息800条，此外企业还拥有行政许可345个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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