北京
国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“掺杂剂导流装置和高掺杂效率的单晶炉”的专利，公开号CN121250532A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种掺杂剂导流装置和高掺杂效率的单晶炉，涉及单晶硅掺杂技术领域，当通过掺杂装置将掺杂剂投入漏斗中后，掺杂剂能够沿漏斗进入到掺杂剂入口组件中，然后从掺杂剂入口组件中落入均气环中；落入均气环中的固态掺杂剂会随着温度的升高气化；气态的掺杂剂会沿着均气环上方与均气盖组件之间的气体通道，进入均气环外侧与均气盖组件之间形成的竖直方向的空间，进而从竖直方向空间的下方进入熔汤内。如此，通过将气态掺杂剂限制在通向熔汤方向的导流通道内，避免了在掺杂剂气化之后，大量的气态掺杂剂随着排气装置的抽气被抽出，从而能够使更多的掺杂剂顺利被掺进熔汤内，减少了掺杂剂的损失，有助于提高掺杂效率，提高硅单晶的成品率。
天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息347条，此外企业还拥有行政许可25个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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