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国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“具有由栅极切口界定的应力感应鳍状物修整隔离区域的集成电路结构”的专利，公开号CN121240523A，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，描述了具有由栅极切口界定的应力感应鳍状物修整隔离区域的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括包含第一子鳍状物之上的水平纳米线的垂直堆叠体或鳍状物的集成电路结构。栅极结构位于水平纳米线的垂直堆叠体或鳍状物之上。电介质结构与栅极结构横向间隔开。电介质结构不在沟道结构之上，但在第二子鳍状物上。电介质结构在水平纳米线的垂直堆叠体或鳍状物上感应出应力。电介质栅极切口插塞与栅极结构和电介质结构接触，并且从栅极结构到电介质结构是连续的。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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