北京
国家知识产权局信息显示，北京燕东微电子股份有限公司取得一项名为“抗总剂量辐照的高阶温度补偿带隙基准电压源”的专利，授权公告号CN223743006U，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本申请提供了一种抗总剂量辐照的高阶温度补偿带隙基准电压源，属于集成电路的技术领域。该抗总剂量辐照的高阶温度补偿带隙基准电压源包括偏置模块、高阶补偿模块和带隙核心模块；其中，带隙核心模块被配置为基于运算放大器、电阻和二极管产生带隙基准电流；偏置模块被配置为对带隙核心模块提供偏置电压，并向高阶补偿模块提供电流；所述高阶补偿模块被配置为接收偏置模块产生的电流并通过工作在强反型区的金属氧化物半导体场效应晶体管和双极性结型晶体管产生补偿电流，以对所述带隙基准电流中的高阶非线性项进行补偿。
天眼查资料显示，北京燕东微电子股份有限公司，成立于1987年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本142761.8097万人民币。通过天眼查大数据分析，北京燕东微电子股份有限公司共对外投资了14家企业，参与招投标项目131次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息153条，此外企业还拥有行政许可9个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
