北京
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“包括堆叠结构部分的键合的半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121237660A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本公开涉及包括堆叠结构部分的键合的半导体装置及其制造方法。根据实施例的半导体装置包括彼此键合的第一堆叠结构和第二堆叠结构。第一堆叠结构包括第一基体和设置在第一基体之上的表面上的第一连接结构。第二堆叠结构包括第二基体和设置在第二基体之上的表面上的第二连接结构。第一连接结构和第二连接结构中的每一个都包括：连接焊盘、设置在连接焊盘上的碳基阻挡层、以及设置在碳基阻挡层上并将第一连接结构和第二连接结构彼此耦接的键合层。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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