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国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“具有位于栅极层之下和势垒层中的掺杂区的半导体装置”的专利，公开号CN121241675A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开描述了一种半导体装置，其具有位于栅极层之下和势垒层中的掺杂区。在实例中，半导体装置(100)包含沟道层(106)、势垒层(108)和栅极层(120)。所述沟道层(106)在半导体衬底(102)上方，并且所述势垒层(108)在所述沟道层(106)上方。所述栅极层(120)在所述势垒层(108)上方，并且所述栅极层(120)掺杂有掺杂剂。所述势垒层(108)中的第一区(120)覆盖在所述沟道层(106)中的沟道区(C)上并位于所述栅极层(120)之下。所述第一区(120)具有第一浓度的所述掺杂剂。所述势垒层(108)中的第二区(A1)相对于所述第一区(120)横向安置，并且所具有的所述掺杂剂的浓度小于所述第一浓度。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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