北京
国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司申请一项名为“一种GaN基封装芯片去PI溶液、去PI方法及应用”的专利，公开号CN121227436A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种GaN基封装芯片去PI溶液、去PI方法及应用，涉及半导体技术领域。本发明的GaN基封装芯片去PI溶液，包括乙二胺、非质子极性溶剂和水，所述乙二胺的体积占比为10~90%，所述非质子极性溶剂的体积占比为5~80%。本发明的GaN基封装芯片去PI溶液中非质子极性溶剂可以促进乙二胺渗透进入PI链间，促进乙二胺羟基攻击亚胺环中的碳基，使得聚酰亚胺开环生产酰胺键，降解PI，同时水可以进一步辅助水解残留结构，最终形成低聚物或单体，更容易溶于水或极性溶剂，促进PI层的去除。
天眼查资料显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司，成立于2017年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本370000万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（苏州）半导体有限公司参与招投标项目41次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息270条，此外企业还拥有行政许可51个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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