北京
国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制造方法及半导体结构”的专利，公开号CN121240437A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体结构的制造方法及半导体结构。方法包括：提供具有隔离沟槽的第一衬底；在隔离沟槽内形成第一隔离层和掩膜层，掩膜层位于第一隔离层的上方且掩膜层的顶表面与第一衬底的顶表面齐平，以形成第二衬底；刻蚀第二衬底形成字线凹槽，字线凹槽的底表面与掩膜层的底表面齐平；在字线凹槽内依次形成第一牺牲层和第二隔离层，第一牺牲层覆盖字线凹槽的底部和侧壁，第二隔离层覆盖第一牺牲层的表面，以形成第三衬底；去除掩膜层，形成第二牺牲层，第二牺牲层的顶表面与第三衬底的顶表面齐平，以形成第四衬底；在第四衬底内形成被第二隔离层隔离的字线结构。本公开的半导体结构制造方法，能够提升半导体结构的性能和良率。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1085次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息635条，此外企业还拥有行政许可34个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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