北京
国家知识产权局信息显示，重庆伟特森电子科技有限公司;无锡锡产微芯半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121240472A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种碳化硅二极管，包括依次层叠的背面欧姆接触金属层、碳化硅衬底、碳化硅缓冲层、碳化硅外延层和阳极金属层；碳化硅外延层的掺杂类型为n型或p型掺杂；碳化硅外延层内且沿其上表面设有至少一个第一掺杂区，每个第一掺杂区内且沿其上表面均设有第二掺杂区，第一掺杂区的掺杂类型与碳化硅外延层的掺杂类型相反，第二掺杂区的掺杂类型与碳化硅外延层的掺杂类型相同。本发明还公开了一种碳化硅二极管的制备方法。本碳化硅二极管具有较高的反向耐压能力和更好的正向浪涌能力，能够实现开启电压0V~0.9V范围内可选。
天眼查资料显示，重庆伟特森电子科技有限公司，成立于2018年，位于重庆市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本2850万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆伟特森电子科技有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息42条，此外企业还拥有行政许可1个。
无锡锡产微芯半导体有限公司，成立于2019年，位于无锡市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本330071.4286万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡锡产微芯半导体有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息17条，此外企业还拥有行政许可15个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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