消息称三星明年HBM产能扩大近50%；美国放宽对三星和SK海力士中国工厂设备进口限制

【热点速读】

1、韩媒：三星明年HBM产能扩大近50%，重点发展HBM4

2、美国将对三星和SK海力士中国工厂进口设备实行年度审批制度

3、挑战HBM！日美巨头联手研发新一代内存，目标容量翻倍功耗减半

4、英伟达已完成对英特尔50亿美元股票的收购

1、韩媒：三星明年HBM产能扩大近50%，重点发展HBM4

据韩媒报道，三星电子计划到2026年底实现每月25万片HBM晶圆的产能，较目前的每月17万片产能提升47%。

报道引述知情人士消息称，三星电子已决定在本月大幅提升其整体HBM产能，并将从新年开始全面投资。此次投资将包括改造现有生产线以及扩建新的平泽4号（P4）生产线。半导体设备行业预计，大型设施投资项目最早将于下个月启动。

随着人工智能投资热潮进一步推高对HBM的需求，三星正在提前锁定产能，以提高其市场响应能力。业界猜测，三星电子向NVIDIA提供的HBM4数量可能超出预期。

对此，三星电子相关人员表示，正在评估各种措施以满足快速增长的HBM需求，目前无法确认具体计划。

2、美国出口管制新规：美商务部对华芯片设备出口实行年度审批制度

据外媒报道，美国商务部工业与安全局（BIS）改变了方针，将不再取消韩国半导体企业中国工厂的“经验证最终用户”（VEU）地位，而是转为以每年批准设备出口配额的方式来允许出口。这意味着三星电子和SK海力士在为其中国半导体工厂引进设备时，无需每次都等待美国许可。

报道称，企业每年可预先申请所需半导体设备及零部件的种类和数量，美国政府将进行审查并决定是否批准出口。与作为综合性出口许可的VEU名单重新纳入相比，此程序更为严格，但相较于每次引进设备都需获得个别批准，这被视为一项缓和措施。

VEU是指只要满足一定的安全保障条件，即可无需额外许可程序或时间限制地供应美国产设备的特殊地位。此前，三星电子的中国西安NAND工厂、SK海力士的中国无锡DRAM工厂和大连NAND工厂均获得了美国政府授予的VEU地位，得以不受限制地引进美国产设备。

然而，去年8月底，BIS宣布将把运营这些工厂的3家中国法人从VEU名单中移除。该措施原定于《联邦公报》公布日（9月2日）起120天后，即本月31日起生效。若该措施生效，这些企业的中国工厂自31日起，每次引进美国产设备都必须获得美国政府的个别许可。除许可本身外，行政程序所耗费的时间等也曾引发对工厂运营造成重大障碍的担忧。

有观点指出，即使此次措施实施，经营上的不确定性依然存在。因为半导体企业实际上不可能准确预测每年所需的设备和零部件。此外，美国政府即使每年批准设备出口，仍将维持禁止扩大中国工厂产能或升级而出口设备的方针。

3、挑战HBM！日美巨头联手研发新一代内存，目标容量翻倍功耗减半

据日媒报道，富士通确认将加入由软银集团主导、英特尔参与的“SAIMEMORY”新型内存研发合作项目。该项目致力于开发可替代HBM的产品，并计划推动其实现商业化量产，目标是在保持与HBM相近或更具竞争力的成本基础上，实现容量提升2至3倍、功耗降低50%的性能突破。

在技术路径上，该项目将融合英特尔的垂直堆叠封装技术与东京大学在热管理与信号传输方面的前沿研究成果。原型设计与制造环节则预计与新兴电子及力积电等企业开展协作。

资金方面，SAIMEMORY计划至2027财年累计投入约80亿日元（约合5127万美元）。其中，软银集团出资30亿日元，富士通公司与日本理化学研究所共同出资10亿日元。

4、英伟达已完成对英特尔50亿美元股票的收购

英伟达公告称，确认已完成对英特尔50亿美元股票的收购，这一交易标志着两家芯片巨头正式结成战略联盟，可能将彻底改变PC和AI处理器市场格局。

根据双方9月份达成的合作协议，英伟达以每股23.28美元的价格完成了对英特尔公司2.147亿股股票的收购。这笔交易使英伟达成为英特尔的主要股东之一，也是英特尔继8月份获得美国政府111亿美元投资后的第二笔重要融资。

据双方此前公告，在这笔50亿美元投资后，双方将主要在两个方向展开合作：

首先，英伟达将定制英特尔的CPU用于其AI平台，英伟达负责整体平台设计，英特尔作为芯片供应商。

其次，英特尔将集成英伟达的GPU技术，推出搭载RTX GPU的SoC处理器。在此合作中，英伟达提供GPU技术，英特尔负责集成和销售。

双方均表示，此次合作不会影响各自的产品线。英伟达将继续推进基于ARM架构的处理器开发，而英特尔也不会放弃其Arc独立显卡业务。