北京
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国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“间隙填充方法、系统和设备”的专利，公开号CN121228207A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，公开了一种用于在衬底的凹部中沉积氧化物的方法、系统和设备，并且包括：a)在室中提供衬底，衬底包括通向凹部的至少一个开口，b)首先将前体脉冲到室中以优先化学吸附在第一区域中，c)将氧物质脉冲到室中以在与化学吸附的前体接触时在第一区域中形成第一氧化物层，d)将抑制剂脉冲到室中以优先在第一氧化物层上沉积抑制剂层，e)将前体脉冲到室中以化学吸附到第二区域，f)将氧物质脉冲到室中以在与化学吸附的前体接触时在第二区域中形成第二氧化物层，以及g)重复一个或多个步骤b)‑c)，直到第一氧化物层在第一区域中沉积到第一期望厚度。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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